【产品】低正向压降的肖特基势垒二极管SBJ26X系列，漏电流小于500μA

时间： 2019-06-14 来源：Diotec

技术问答

DIOTEC致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，拥有从晶圆和芯片的生产到组装测试和封装一整条产线。Diotec推出的SBJ26X系列（SBJ2620、SBJ2630、SBJ2640、SBJ2645）肖特基势垒二极管，具有低正向压降的特点，且正向压降与漏电流之间达到了最佳平衡。主要适用于DC/DC输出整流、转换器、电源、极性保护、续流二极管、太阳能旁路二极管等领域。

图一.封装尺寸与等效电路图

SBJ26X系列肖特基势垒二极管（SBJ2620、SBJ2630、SBJ2640、SBJ2645）的反向重复峰值电压（V_RRM）范围为20~45V，最大反向峰值电压范围为（V_RSM）20~45V。该系列产品详细参数如以下图表所示。

图二.产品参数1

在壳温（T_C）=80℃时，负载条件下的最大平均正向整流电流（I_FAV）为26A。当f>15Hz，壳温（T_C）=80℃时，重复峰值正向电流（I_FRM）为55A。在50Hz（10ms）和60Hz（8.3ms）的正弦半波下，正向浪涌峰值电流（I_FSM）分别为280A和320A，较大的正向浪涌峰值电流可以有效的保证电路在浪涌电流下仍可以稳定工作。在结温（T_j）为25℃时，SBJ26X系列产品的漏电流（I_R）小于500μA（V_R=V_RRM），在结温（T_j）为100℃时，SBJ26X系列产品的漏电流（I_R）典型值为20mA（V_R=V_RRM）。

图三.产品参数2

SBJ2620、SBJ2630、SBJ2640、SBJ2645的结电容典型值均为950pF，当I_F=5.0A，T_j=25℃时，SBJ2620、SBJ2630、SBJ2640、SBJ2645的正向压降V_F小于0.50V，当I_F=18.0A，T_j=25℃时，SBJ2620、SBJ2630、SBJ2640、SBJ2645的正向压降V_F小于0.58V。较低的正向压降与μA级别的漏电流可以明显改善器件功耗与发热量。

图四.产品参数3

SBJ26X系列肖特基势垒二极管的结温范围为-50℃~150℃，在正向直流电下结温最高可达200℃。存储温度范围为-50℃~150°C，结壳热阻（R_thC）小于4K/W,高达200℃的结温与仅有4K/W的结壳热阻能够很好地满足工业环境的温度要求，可适应较为恶劣的工业环境。此外，SBJ26X系列肖特基势垒二极管采用了ITO-220AC的封装模式，选用材料阻燃等级经过了UL 94V-0认证，重约2.2g，并通过了符合RoHS，REACH、WEEE和ELV认证且达到无铅标准，是一款绿色环保电子元器件。

图五.输出特性图

SBJ26X系列肖特基势垒二极管特点：

低正向压降

正向压降与漏电流之间的最佳平衡

符合RoHS，REACH、WEEE和ELV认证

SBJ26X系列肖特基势垒二极管应用：

DC/DC输出整流

转换器、极性保护

续流二极管

太阳能旁路二极管

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