【产品】-30V/-3.6A的P沟道增强型MOSFET PJA3401-AU，AEC-Q101合格
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET—PJA3401-AU，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为-30V，连续漏极电流为-3.6A。产品采用先进的沟槽工艺技术，专为开关负载、PWM应用等设计。
产品外观和示意图
特点：
●漏源导通电阻RDS(ON)<72mΩ（VGS=-10V，ID=-3.6A）
●漏源导通电阻RDS(ON)<82mΩ（VGS=-4.5V，ID=-2.3A）
●漏源导通电阻RDS(ON)<115mΩ（VGS=-2.5V，ID=-1.4A）
●先进的沟槽工艺技术
●专为开关负载、PWM应用等设计
●AEC-Q101合格
●无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
●绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
●外壳：SOT-23封装
●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
●重量约为：0.0003盎司，0.0084克
最大额定参数和热特性(TA=25℃，除非另有说明)：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
注：
1.脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
2.基本上与工作温度典型特性无关
3.RθJA是结至外壳和外壳至环境的热阻之和，其中外壳热参考被定义为漏极引脚的焊料安装表面。安装在1 inch FR-4、2oz方形铜垫上
4.最大额定电流受封装限制
5.设计保证，无需进行产品测试
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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AEC-Q101 Qualified
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N
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Single
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40
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20
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136
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3
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3.5
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43
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