【产品】120V/25A大电流、小型SMD功率MOSFET P25LF12SL、P25LF12SN

时间： 2019-04-16 来源：shindengen

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功率MOSFET,SMD功率MOSFET,大电流功率MOSFET,P25LF12SL

P25LF12SL、P25LF12SN是新电元（SHINDENGEN）推出的两款性能优异的功率MOSFET，漏源电压均为120V，连续漏极电流（DC）均为25A，允许大电流，小型SMD，均符合ROHS无铅标准，主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。两款产品尺寸均为6.05mm*5.3mm*1.05mm。

图1 P25LF12SL、P25LF12SN功率MOSFET外观图

P25LF12SL、P25LF12SN单脉冲雪崩能量分别为21A、22A（Tch=25℃ Tch≦150℃），单脉冲雪崩能量均为52mJ，可有效抑制雪崩效应，总损耗仅为168W。同时，P25LF12SL、P25LF12SN具有低电容特性，其输入电容典型值为2930pF、2430pF，工程师可根据不同的需求进行选择；阈值电压（V_TH）典型值分别为2V、3V；在I_D=12.5A , V_GS=10V的条件下，其静态漏源导通电阻分别为23mΩ、21mΩ，具有低导通电阻特点, 可靠性高，安全性好。

P25LF12SL、P25LF12SN两款产品的存储温度范围均为-55℃~175℃，通道温度范围均为-55℃~175℃，具有出色的耐高温、低温性能和极强的环境适应能力，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。同时热阻R_th(j-c)最大值均为0.89℃/W ，在大功率系统中，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。此外，两款产品开启延迟典型值分别为4.4ns、5.5ns，关断延迟典型值分别为51ns、31ns，具有更快的开关速度，可以满足一般高频开关电路设计需求。

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