【应用】超低VF肖特基二极管SKM14助力电池输出防反接高效化
为了防止电池接反导致后级器件损坏，通常会在电池输出的端增加防反接电路，本文将结合DIOTEC的超低VF肖特基二极管SKM14，讨论其在防反接电路中的应用。
目前防反接电路主要分两大类，一类是采用二极管的单向导通性来做，还有一类就是用N或者P MOS来做，后者功耗低，但成本高，类似方案还有采用理想二极管的，其实内部也是集成了一个MOS管在里面。而如果要采用二极管来做防反接，由于二极管的VF值乘以流过的实际电流就是二极管的功耗，因此必须要选VF值低的肖特基二极管，尤其是在电池输出防反接，二极管本身的功耗过高，会大大降低电池本身的使用寿命。
Diotec针对这一需求推出了超低VF值的肖特基二极管SKM14，电池供电的工作电流一般在100-200mA，参考图1所示SKM14在25℃条件下VF值的V-I特性曲线，VF最大值仅为0.25V左右，相对于硅管标准0.7V的VF标准值，大大降低了二极管本身的功耗。其次SKM14的耐压为40V，满足绝大部分电池供电的应用场景。
图1 SKM14的VF值V-I特性曲线示意图
实际上，电池的输出性能受工作环境温度影响较大，这样对肖特基二级管的要求也就比较高。由于肖特基二极管的VF值和环境温度成反比关系，温度越低，VF值越高，因此需要重点评估低温时肖特基二极管的VF值，如图2所示，参考SKM14在25℃/-50℃条件下，电流150mA时，测试30组二极管数据，可以看出在-50℃极限温度下，VF平均值变化仅在0.07V左右，确保SKM14的功耗在极限低温下仍保持和室温差不多。
图2 SKM14在25℃/-50℃条件下VF值对比示意图
综上所述，SKM14无论是在室温条件下，还是在-50℃的极限低温下，其超低VF值的表现确保了二极管自身的低功耗，从而也保证了电池输出防反接电路的高效化。
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DIOTEC Schottky Diodes&Small Signal Diodes选型表
提供了Diotec肖特基二极管、小信号二极管选型，Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]：0.02A-40A，Junction Temperature Tjmax[℃]：125-200℃
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM[V]
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Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Forward Voltage VF[V]
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Forward Voltage IF[A]
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Peak Forward Surge Current IFSM[A]
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Leakage Current IR[µA]
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Leakage Current VR[V]
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Junction Capacitance Cj[PF]
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Junction Capacitance VR[V]
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15SQ045-3G
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Schottky Diodes
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Axial
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D5.4x7.5
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45
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15.00
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150
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0.55
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15.00
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290.00
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200.000
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45
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720
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4
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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BAT54, BAT54A, BAT54C, BAT54S SMD Small Signal Schottky Diodes
型号- BAT54S,BAT54-Q,BAT54C-AQ,BAT54S-C,BAT54A-Q,BAT54C-Q,BAT54S-AQ,BAT54,BAT54C,BAT54-AQ,BAT54A,BAT54A-AQ,BAT54S-Q
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型号- BAS70-Q,BAS70-AQ,BAS70-06,BAS70-04,BAS70-05,BAS70-04-Q,BAS70-06-AQ,BAS70-05-Q,BAS70-06-Q,BAS70
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