【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4,最高结温为150℃,符合ROHS标准

2022-03-11 爱仕特
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深圳爱仕特科技有限公司能够自主设计研发碳化硅(SiC)MOSFET,而ASC20N3300MT4是其推出的一款N沟道SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷。因此,该产品这些出色的特性带来系统优势,具体包括极高的效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的电磁干扰(EMI),以及减少系统体积大小。


ASC20N3300MT4的漏源电压VDS为3300V,TC=25℃ 时连续漏极电流ID为20A,耗散功率PD=152W。

产品外观和示意图

特点:

    低电容高速开关

    高耐压,低导通电阻RDS(on)

    标准栅极驱动,易于驱动

    100%雪崩测试

    最高结温为150℃

    符合RoHS标准


应用:

    电动汽车充电

    DC-AC逆变器

    高压DC/DC转换器

    开关电源

    功率因数校正模块

    电机驱动


最大额定参数(Tc=25℃):

主要电气特性(Tj=25℃,除非特别说明):

热特性:(数据手册上第二行大概有误,所以依据前面的符号推测而来)

订阅信息:



授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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