【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准

时间： 2022-03-11 来源：爱仕特

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深圳爱仕特科技有限公司能够自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET，而ASC20N3300MT4是其推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，该产品这些出色的特性带来系统优势，具体包括极高的效率，更快的工作频率，更高的功率密度，更低的电磁干扰（EMI），以及减少系统体积大小。

ASC20N3300MT4的漏源电压V_DS为3300V，T_C=25℃ 时连续漏极电流I_D为20A，耗散功率P_D=152W。

产品外观和示意图

特点：

低电容高速开关

高耐压，低导通电阻R_DS(on)

标准栅极驱动，易于驱动

100%雪崩测试

最高结温为150℃

符合RoHS标准

应用：

电动汽车充电

DC-AC逆变器

高压DC/DC转换器

开关电源

功率因数校正模块

电机驱动

最大额定参数(Tc=25℃)：

主要电气特性(Tj=25℃，除非特别说明)：

热特性：(数据手册上第二行大概有误，所以依据前面的符号推测而来)

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