【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4,最高结温为150℃,符合ROHS标准
深圳爱仕特科技有限公司能够自主设计研发碳化硅(SiC)MOSFET,而ASC20N3300MT4是其推出的一款N沟道SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷。因此,该产品这些出色的特性带来系统优势,具体包括极高的效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的电磁干扰(EMI),以及减少系统体积大小。
ASC20N3300MT4的漏源电压VDS为3300V,TC=25℃ 时连续漏极电流ID为20A,耗散功率PD=152W。
产品外观和示意图
特点:
低电容高速开关
高耐压,低导通电阻RDS(on)
标准栅极驱动,易于驱动
100%雪崩测试
最高结温为150℃
符合RoHS标准
应用:
电动汽车充电
DC-AC逆变器
高压DC/DC转换器
开关电源
功率因数校正模块
电机驱动
最大额定参数(Tc=25℃):
主要电气特性(Tj=25℃,除非特别说明):
热特性:(数据手册上第二行大概有误,所以依据前面的符号推测而来)
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