【产品】集成三相整流模块和IGBT全桥模块的PVD30E8功率集成模块(PIM),热阻最大1.22℃/W
PVD30E8是KYOCERA(京瓷)半导体公司推出的一款大功率IGBT功率集成模块(PIM),集成了三相整流模块(整流器)和IGBT全桥模块(逆变器),提高了IGBT电路的功率密度,减少连线产生的分布电感,简化了安装工,使用者能够紧凑地设计主电路,可以应用在驱动电路、逆变电路、斩波电路以及开关电源等领域。
图1. PVD30E8功率集成模块(PIM)的电路图
PVD30E8的三相整流模块部分参数特点:
其断态重复峰值电压与反向重复峰值电压均为800V,能够在高电压条件下持续工作,拥有较高的可靠性,非常适合大功率整流电路设计。其平均通态电流(整流电流)为30A(三相全波,整流),浪涌通态电流为200A(半正弦波,非重复,单脉冲),能够提供一定程度的浪涌保护和更低的导通损耗。其门极触发电流为50mA(VD=6V,IT=1A),门极触发电压为2.5V (VD=6V,IT=1A),维持电流为50mA,容易达到触发条件和维持导通状态,降低了开关噪声和导通损耗,EMC性能进一步提升。
PVD30E8功率集成模块(PIM)的IGBT全桥模块(逆变器)部分参数特点:
它的集电极-发射极电压可达600V,集电极电流和正向电流为50A(DC),集电极损耗功率为103W,隔离电压Viso高达2500V(交流,1分钟),具有低功耗和较好的隔离信号干扰能力,有效对器件进行保护。其输入电容Cies典型值为2500pF,正向峰值电压VF典型值为1.9V(IF=50A),反向恢复时间trr典型值为0.15µs(IF=50A,VGE=-10V,-di/dt=50A/μs),开通时间典型值仅为0.25µs,关断时间典型值仅为0.35µs,拥有较高的效率以及极速开关速度。此外,IGBT热阻最大值为1.22℃/W,具有出色的散热性能,使其在功率电路应用或高温环境应用中更加可靠。
PVD30E8功率集成模块(PIM)具有的紧凑结构和低电感设计,有效地减小了关断损耗。且其工作温度范围为-40~+125℃(整流器)和-40~+150℃(逆变器),储存温度范围为-40~+125℃,基本满足了工业所需的环境温度。此外, PVD30E8功率集成模块(PIM)还配置了热敏电阻,为温度检测电路提供了便利。
图2. PVD30E8功率集成模块(PIM)的外形尺寸图
PVD30E8功率集成模块(PIM)的主要特点:
•具有的紧凑结构和低电感设计
•工作温度范围为-40~+125℃(整流器)和-40~+150℃(逆变器)
•三相整流模块部分:
•断态重复峰值电压与反向重复峰值电压均为800V
•平均通态电流为30A,浪涌通态电流为200A
•门极触发电流为50mA,门极触发电压为2.5V,维持电流为50 mA
•IGBT全桥模块(逆变器)部分:
•集电极-发射极电压可达600V
•集电极损耗功率为103W
•隔离电压Viso高达2500V
•输入电容Cies典型值为2500pF
•反向恢复时间trr典型值为0.15µs
•开通时间典型值仅为0.25µs,关断时间典型值仅为0.35µs
•IGBT热阻最大值为1.22℃/W
PVD30E8功率集成模块(PIM)的主要应用:
•驱动电路
•逆变电路
•斩波电路
•开关电源
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现货市场
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实验室地址: 深圳 提交需求>
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