【产品】集成三相整流模块和IGBT全桥模块的PVD30E8功率集成模块（PIM），热阻最大1.22℃/W

时间： 2018-09-08 来源：KYOCERA

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PVD30E8是KYOCERA（京瓷）半导体公司推出的一款大功率IGBT功率集成模块（PIM），集成了三相整流模块（整流器）和IGBT全桥模块（逆变器），提高了IGBT电路的功率密度，减少连线产生的分布电感，简化了安装工，使用者能够紧凑地设计主电路，可以应用在驱动电路、逆变电路、斩波电路以及开关电源等领域。

图1. PVD30E8功率集成模块（PIM）的电路图

PVD30E8的三相整流模块部分参数特点：

其断态重复峰值电压与反向重复峰值电压均为800V，能够在高电压条件下持续工作，拥有较高的可靠性，非常适合大功率整流电路设计。其平均通态电流（整流电流）为30A（三相全波，整流），浪涌通态电流为200A（半正弦波，非重复，单脉冲），能够提供一定程度的浪涌保护和更低的导通损耗。其门极触发电流为50mA（VD=6V，IT=1A），门极触发电压为2.5V （VD=6V，IT=1A），维持电流为50mA，容易达到触发条件和维持导通状态，降低了开关噪声和导通损耗，EMC性能进一步提升。

PVD30E8功率集成模块（PIM）的IGBT全桥模块（逆变器）部分参数特点：

它的集电极-发射极电压可达600V，集电极电流和正向电流为50A（DC），集电极损耗功率为103W，隔离电压Viso高达2500V（交流，1分钟），具有低功耗和较好的隔离信号干扰能力，有效对器件进行保护。其输入电容Cies典型值为2500pF，正向峰值电压VF典型值为1.9V（IF=50A），反向恢复时间trr典型值为0.15µs（IF=50A，VGE=-10V，-di/dt=50A/μs），开通时间典型值仅为0.25µs，关断时间典型值仅为0.35µs，拥有较高的效率以及极速开关速度。此外，IGBT热阻最大值为1.22℃/W，具有出色的散热性能，使其在功率电路应用或高温环境应用中更加可靠。

PVD30E8功率集成模块（PIM）具有的紧凑结构和低电感设计，有效地减小了关断损耗。且其工作温度范围为-40~+125℃（整流器）和-40~+150℃（逆变器），储存温度范围为-40~+125℃，基本满足了工业所需的环境温度。此外， PVD30E8功率集成模块（PIM）还配置了热敏电阻，为温度检测电路提供了便利。

图2. PVD30E8功率集成模块（PIM）的外形尺寸图

PVD30E8功率集成模块（PIM）的主要特点：

•具有的紧凑结构和低电感设计

•工作温度范围为-40~+125℃（整流器）和-40~+150℃（逆变器）

•三相整流模块部分：

•断态重复峰值电压与反向重复峰值电压均为800V

•平均通态电流为30A，浪涌通态电流为200A

•门极触发电流为50mA，门极触发电压为2.5V，维持电流为50 mA

•IGBT全桥模块（逆变器）部分：

•集电极-发射极电压可达600V

•集电极损耗功率为103W

•隔离电压Viso高达2500V

•输入电容Cies典型值为2500pF

•反向恢复时间trr典型值为0.15µs

•开通时间典型值仅为0.25µs，关断时间典型值仅为0.35µs

•IGBT热阻最大值为1.22℃/W

PVD30E8功率集成模块（PIM）的主要应用：

•驱动电路

•逆变电路

•斩波电路

•开关电源

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