【应用】是德科技的B1505/6A设备分析仪和PD1500A动态参数测试系统用于检验第三代半导体器件
半导体产业发展至今经历了三个阶段：第一代半导体材料以硅为代表；第二代半导体材料砷化镓也已经广泛应用，而第三代半导体是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌为代表的宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体材料。
没有严格的测试也无法成就高性能的半导体器件。面对第三代半导体材料的IGBT, MOSFET等功率器件对于高电压，高电流的要求我们又应该怎么做呢？
下面几个测试项目和解决方案是测验第三代半导体器件的良方：
功率器件静态参数测试
功率器件动态参数测试
功率器件On-Wafer参数测试
电力电子器件建模
电力电子电路仿真平台
下面将主要针对前两个测试提供解决方案。
1.功率器件静态参数测试
面对功率器件高压、高流的测试要求，KEYSIGHT可以提供B1505A和B1506A两套设备分析仪，可以支持晶圆和封装器件全参数测试：
1)测量所有IV参数(Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat等)
2)测量高电压3kV偏置下的输入、输出和反向转移
电容：
3)支持自动CV测试
4)测量栅极电荷(Qg)
5)电流崩塌测试
6)高低温测试功能（-50°C至+250°C）
2.功率器件动态测试
随着开关频率的不断增加，器件的开关损耗超过静态损耗成为主要功耗来源，器件的动态参数也成为评估器件性能的重要参数。
相对于器件的静态参数，动态参数主要表征的是器件在开启或关断瞬间的电学特性参数，其主要是寄生电阻和寄生电容在动态应用中，会引起充、放电过程，给电路实际工作带来一些限制同时也决定的器件的开关性能。
例如在毫米波超宽带PA 测试中，发现测试附件会产生影响，比如毫米波频段使用的线缆和接头，相对于6GHz 以下的低频段，一般存在更大的线性失真和不平坦性，如果是仪表内置校正方式，也很难应对，但是现场外部校正方式就可以把它们包含在校正数据里面，去除这些部分的影响。
是德科技发布的动态参数测试系统PD1500A涵盖的测试包括：
可扩展的测试功能：
雪崩能量和短路能量的测试
GaN相关参数测试（包括Dynamic Ron）
1000A高功率模块测试（2X，4X, 6X 等）
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服务
配备KEYSIGHT网络分析仪，可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗，电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q，仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
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