ROHM，Littelfuse，扬杰科技等650V-3300V SiC器件，助力设备高频、高效率、小型化
世强元件电商代理数十几家国内外顶级SiC器件品牌，包括ROHM（罗姆）、LITTELFUSE、基本半导体、扬杰科技、先导中心、泰科天润、CISSOID 等，SiC支持650V-3300V耐压等级，供货有保障，价格优惠。
品牌介绍
SiC MOS: 电压650-1700V, 导通阻抗17mOhm-1150mOhm，覆盖度广，封装齐全。
SiC SBD: 电压650V/1200V, 电流2A-40A型号，有车规AEC-Q101，封装齐全。
SiC Module: 全碳化硅模块，电压1200V, 导通阻抗3mOhm- 34mOhm。
全球排名第一的电路保护供应商——Littelfuse（力特）
碳化硅肖特基分立二极管：正温度系数可确保安全运行，并轻松并联;最高运行结温为175 °C;卓越的浪涌性能;极为迅速、不受温度影响的切换行为;相比硅双极二极管，切换损耗显著减少。
碳化硅MOSFET：专为高频、高效应用优化；极低栅极电荷和输出电容；低栅极电阻，适用于高频开关；在各种温度条件下保持常闭状态；超低导通电阻；符合RoHS标准、无铅、不含卤素。
【选型】Littelfuse（力特）LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET数据手册
【选型】Littelfuse（力特）LSIC1MO120E0160 碳化硅MOSFET官方数据手册
SIC肖特基二极管：耐高温特性，工作温度（175°C)；0反向恢复时间，有650V/1200V 2A-40A多个规格
智能功率模块IPM：三相全桥IPM，体积4.67L，功率密度可达58kW/L；半桥IPM，工作电压1700V，可兼容XM3、ME4封装，板级工作温度125°C。
分立器件：耐压范围-30V至1200V MOSFET，及SiC材料双二极管等，板级工作温度可达225°C。
【选型】CISSOID 晶体管/功率开关/二极管/线性稳压器/电压参考/DC-DC转换器/栅极驱动和马达驱动器/模数转换器/比较器/放大器/逻辑门/定时器/时钟发生器选型指南
致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）
SiC JBS：反向恢复速度提高了几十到上百倍，硬开关损耗低。提高了系统的开关效率，可以做出更高频开关系统。SiC二极管覆盖650V~1200V电压需求。
SiC MOSFET：具备优秀的动静态特性，电压范围1200V以下，能够提供更高效率，适合更极端环境的第三代半导体器件。
全球领先的电力电子模块解决方案的供应商——VINCOTECH（威科）
Sixpack模块：提供flow0/1，flowE1封装，900V/1200V电压，20-100A电流，常用于充电桩。
Booster模块：提供flow0/1/2封装，1200V电压，20A/35A电流，常用于电能质量。
H-bridge模块：提供flow0/1，flowE1/E2封装，900V/1200V电压，20-80A电流，常用于高速电机驱动。
国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商——泰科天润(GPT)
碳化硅肖特基二极管：650V-3300V的工作电压，正温度系数可确保安全运行，最高运行结温为175℃，10倍的浪涌电流能力，极短的反向恢复时间（基本为零）；反向恢复电荷量（Qrr）小，可降低开关损耗。
国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商——华太（Watech）
SIC SBD：175℃的工作温度，接近0的开关和反向恢复损耗，进一步提高电力电子装置的工作频率，减少设备体积
采用混合PN结肖特基结构，在保持低损耗条件下，又提高了鲁棒性。有650V/1200V 10A-75A 多个规格
SIC MOS：175℃的工作温度，低开关损耗。有1200V 160mΩ/80mΩ/40mΩ， 1700V 1Ω多个规格
中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）
碳化硅MOSFET：电压规格1200V；短路耐受时间可达6μs；导通电阻Rds(on):18~160mΩ；栅极开启电压Vth≥2.9V。
碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）：电压规格650V-1700V；电流2A~40A；反向漏电低至μA，比传统碳化硅二极管低三个数量级；抗浪涌电流能力超过8倍额定电流。
【选型】基本半导体(BASiC) SiC碳化硅功率器件 选型指南
碳化硅专利储备数量国内排名第一供应商——先导中心（SASTC）
碳化硅肖特基二极管：电压规格650V-5000V; 正向电流1-50A; 抗浪涌电流6倍于额定电流，反向漏电低至μA; 多种封装形式；
碳化硅MOSFET：电压规格1200V-3300V；导通电阻Rds(on):20~1000mΩ；驱动电压20V。
【选型】先导中心（SASTC）碳化硅（SiC）功率元器件选型指南
全球碳化硅MOSFET顶尖制造商之一：美浦森(Maplesemi)
高压MOSFET(VDMOS)：电压200-900V;TO-220/TO-247/TO-251/TO-252/TO-262等封装;融合仙童制程和工艺;同种规格产品在EMI表现高6DB左右，抗冲击表现高10%。
碳化硅二极管（SiC DIODE）：电压650-1200 V，电流2-40A ;TO-252/TO220/TO247等封装；符合车规AEC-Q101标准；VF值低至1.35 V，650V系列反向耐压达到850V以上，1200V系列反向耐压达到1600 V以上。
超结MOSFET(SJMOS)：电压500V/600V/650V/800V，电流5A-76A；TO-220/TO-247/TO-251/TO-252/TO-262等封装；使用多层外延工艺，同等型号和条件下，EAS、EMI和稳定性更好;导通电阻低至42mΩ。
【选型】美浦森（Maplesemi）VD MOSFET/Super-JMOS/SIC Diode选型指南
【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南
中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一：中电国基南方（CETC）
SiC肖特基二极管：650V~3300V的工作电压，2A~50A的工作电流。
SiC MOSFET产品：650V~1700V的工作电压，17mΩ~1000mΩ的导通电阻。
SiC功率器件：SIC SBD系列产品主要分为650V和1200V系列，电流值主要为2A,4A,6A,8A,10A,20A，使用6寸晶元生产，车规级的生产工艺，具有高耐温，高频，高效，高压特性，在广大大功率电源产品广泛应用。
中国第一批国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆生产商：瞻芯电子（InventChip）
碳化硅肖特基二极管：1200V的工作电压，正温度系数可确保安全运行，最高运行结温为175℃；开关特性不受温度影响; 零反向恢复电流，零正向恢复电压；可在高频率下工作，有助于设备小型化和降低整体成本；高浪涌电流容量；含1200V系列5A/10A/15A/20A/30A/40A多种规格。
碳化硅MOSFET：电压650V /1200V，导通电阻 RDS（on）: 50mohm、80mohm、160mohm，高速，寄生电容小；高工作结温；快速恢复体二极管。
【选型】瞻芯电子（InventChip）SiC MOSFET/SiC 二极管/SiC MOSFET栅极驱动芯片选型指南
国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction）
碳化硅SBD：核心参数正向压降小VF可达1.29V,达国外最新产品标准； 650V 6A 8A 10A 封装，TO220-2；650V 20A 封装，TO220-F。
碳化硅MOS：1200V/ 25mΩ 80 mΩ 120 mΩ，1700V/3Ω，650V40 mΩ；原胞（pitch）尺寸在3.2~6μm，比导通可达2.8mΩ； HDFM品质因数可达1.29，整体损耗更小，效率更高。
碳化硅MOS管：拥有超低输出电容电荷(Qoss最低达3.7nC，Co(tr)最低达9pF)，数值与氮化镓(GaN)相当，且仅有硅超结MOSFET的1/10；耐受雪崩能量 达硅超结MOSFET的5倍以上；短路电流耐受能力达氮化镓的1000倍以上；具有低导通电阻及备优异的电磁干扰、电磁兼容特性 (EMI/EMC) ,最低可以比 Super-Junction 低 20dB。
Expedite the transformation of power electronics from Si to SiC
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sampson Lv6. 高级专家 2022-10-26支持一个 -
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hghee Lv8. 研究员 2022-10-14支持一个！ -
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fdy495 Lv4. 资深工程师 2022-10-13学习 -
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不吵不闹 Lv4. 资深工程师 2022-10-13学习 -
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用户20508157 Lv6. 高级专家 2022-10-10学习 -
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烈酒丶 Lv5. 技术专家 2022-10-09学习 -
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Nicole2 Lv5. 技术专家 2022-10-08学习 -
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用户30839860 Lv5. 技术专家 2022-10-08学习 -
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古月工 Lv8. 研究员 2022-10-08学习 -
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terrydl Lv9. 科学家 2022-10-04学习
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2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI） | 中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE） | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes） | 中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip） | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ） | Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER） | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics） | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY） |
活动 发布时间 : 2024-10-12
Evaluation Board for E/G-type Full SiC Module with 2nd Generation SiC-MOSFET User’s Guide
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ROHM碳化硅MOSFET为Midnite Solar四款太阳能充电控制器提供高效率、低成本解决方案
ROHM近日宣布，各种可替代能源产品的领先制造商Midnite Solar公司采用ROHM的碳化硅MOSFET来提高效率和降低系统成本。Midnite Solar在其新的太阳能产品系列中使用了ROHM的60mΩ RDS(on)碳化硅器件和较新的30mΩ RDS(on)产品。
原厂动态 发布时间 : 2021-02-15
先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能
逆变器技术正在突飞猛进地发展，并已成为包括工业应用在内的各种能源设备不可或缺的组成部分。利用这项技术，可以通过将直流电转换为交流电并根据需要优化供电，来减少能源浪费并延长设施和设备的使用寿命。另外，通过使用符合应用需求和目的的理想半导体解决方案，可以进一步提高逆变器的功率转换效率。罗姆通过推动先进功率元器件和模拟IC在逆变器中的应用，来促进各种设备的节能，从而为实现可持续发展社会贡献力量。
应用方案 发布时间 : 2024-05-17
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描述- 本方案通过采用WOLFSPEED高效SIC肖特基二极管，Vincotech MNPC T字型逆变IGBT模块及相关的器件，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高。
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CHT-NEPTUNE-1210 High Temperature 1200V/10A Silicon Carbide MOSFET DATASHEET
型号- CHT-NEPTUNE-1210,CHT-PLA8543E-TO257-T
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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