【产品】国产自研SiC MOSFET ASC30N650MT4,适用于电动汽车充电、DC/DC转换器
本文主要介绍深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发SiC MOS芯片。ASC30N650MT4是爱仕特推出的一款SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优点包括系统效率最高,工作频率更快,功率密度增加,电磁干扰能力降低,以及减少系统体积大小。
产品外观和内部电路图
特点:
低电容高速开关
高耐压,低导通电阻RDS(on)
带有独立驱动引脚的优化封装
易于并行和简单驱动
符合ROHS标准,无卤素
应用:
电动汽车充电
DC/DC转换器
开关电源
功率因数校正模块
太阳能光伏逆变器
最大额定参数(Tc=25℃,除非特别说明):
主要电气特性(Tj=25℃,除非特别说明):
热特性:
订阅信息:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由小背篓翻译自爱仕特,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4,最高结温为150℃,符合ROHS标准
ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷。
【产品】用TO-247封装的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3,适用于开关电源
爱仕特推出的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3,采用TO-247封装,在Tc=25℃的条件下,漏源电压为1200V,耗散功率为550W。可用于EV电机驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。
【产品】符合ROHS标准的SiC MOS芯片ASC30N900MT4,易于并行和简单驱动
SiC MOS芯片ASC30N900MT4是爱仕特推出的一款SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优点包括系统效率最高,工作频率更快,功率密度增加,电磁干扰能力降低。
爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货,兼具超低导通和超快开关特性
爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户,填补了国内该系列产品研发及应用的空白,引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
ASC300N1200MEP2B 1200V SiC MOSFET模块
描述- 本文档介绍了ASC300N1200MEP2B这款1200V SiC MOSFET模块。该产品具有高电流密度、低感设计、低开关损耗和高频操作等特点,适用于高频切换应用、DC/DC转换器、电机驱动、伺服驱动、不间断电源系统和光伏系统等领域。
型号- ASC300N1200MEP2B
B2M040120T SiC MOSFET
描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品,包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点,适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。
型号- B2M040120T
解析SiC MOSFET器件五大特性
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和IGBT相比具有显著优势。开关超过1,000V的高压电源轨以数百kHz运行并非易事,即使是最好的超结硅MOSFET也难以胜任。本文将为您介绍SiC MOSFET器件五大特性。
ASC30N650MT7 650V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC30N650MT7型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅(SiC)技术,具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。
型号- ASC30N650MT7
CRXQF40M120G1 SiC MOSFET 1200V,40mΩ,55A
描述- 本资料介绍了CRXQF40M120G1型碳化硅(SiC)MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性,适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器和电动汽车充电器等领域。
型号- CRXQF40M120G1
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT4,漏源电压VDS达到1700V
深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅(SiC)MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V,TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A,耗散功率PD=420W。
HPAF65C055R 650V SiC MOSFET
描述- 本资料介绍了HPAF65C055R 650V SiC MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用宽禁带SiC技术,具有低导通电阻和高阻断电压的特点,适用于开关电源、可再生能源和电机驱动等领域。
型号- HPAF65C055R
【产品】派恩杰推出国内首款1700V SiC MOSFET,大幅减少辅助开关电源成本
派恩杰半导体(杭州)有限公司推出国内首款1700V/3Ω的SiC MOSFET P3M173K0K3,最大漏极电流为2.7A。该产品针对高压辅助电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on),使得其广泛适用于工业电机驱动,光伏,直流充电桩,储能变换器及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计。
IV1Q12750O3–1200V 750mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)产品IV1Q12750O3。该产品具有高阻断电压、高速切换、低电容和高结温操作能力等特点,适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12750O3
SL87N120A 1200V 17mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了SL87N120A SiC MOSFET的特性,包括其高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点。该产品适用于EV主驱逆变器、光伏逆变器、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。
型号- SL87N120A
CRXQ40M120G1 SiC MOSFET 1200V,40mΩ,55A
描述- 本资料介绍了CRXQ40M120G1型碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有高阻断电压、低导通电阻和高速开关特性,适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器和电动汽车充电器等领域。
型号- CRXQ40M120G1
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论