【产品】20V/60A的N沟道功率MOSFET SLD60N02T，采用平面条纹沟槽技术，导通电阻极低
SLD60N02T是美浦森（Maplesemi）推出的一款采用先进平面条纹沟槽技术的N沟道功率MOSFET，这项先进的技术是为实现导通损耗最小化而特别设计的，可提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。器件采用D-PAK封装，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为60A（TC=25℃），具有非常低的漏源导通电阻RDS(ON)、低反向传输电容和快速开关特性，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品特点
N沟道：漏源电压20V，连续漏极电流60A（TC=25℃）
漏源导通电阻RDS(ON)=4.5mΩ（典型值）@VGS=4.5V
漏源导通电阻RDS(ON)=6.5mΩ（典型值）@VGS=2.5V
极低的导通电阻RDS(ON)
低反向传输电容Crss
快速开关
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.EAS条件：TJ=25℃,VDD=10V,VG=4.5V,L=0.5mH,RG=25Ω,IAS=14A
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤0.5%
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