【应用】国产超结MOSFET TPP65R170M用于正激式电源，具有功率输出高等优势

时间： 2020-03-18 来源：无锡紫光微

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正激式电源具有相对较简单的电路配置，广泛用于几百瓦的电源。正激式电源比反激式电源提供更高的变压器效率。正激式电源可用于100W~500W的应用。正激式电源主要分为三部分，如图1所示，是正激式电源的拓扑框图，分为前级PFC电路、正激电路和输出整流电路。

图1：正激电源拓扑

正激电路的损耗主要来源于MOSFET的导通损耗和开关损耗，所以降低MOSFET的损耗主要就是降低MOSFET的导通电阻和Qg。无锡紫光微推出的Multi-EPI SJ MOS是一种新型功能器件，基于超结(SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性；基于电荷平衡理论及采用先进的多次沟槽刻蚀技术，可显著降低MOSFET的品质因数FOM（Rdson*Qg），从而实现更高的效率和功率密度。

以紫光微的650V/11A/TO220封装的SJMOS为例，导通电阻典型值仅为350mΩ，对比I公司CoolMOS的导通电阻和栅电荷，如图2所示。在品质因数FOM（Rdson*Qg）上，紫光微的SJMOS相对于竞争对手的CoolMOS要低37%；在导通电阻上，紫光微的SJMOS相对于对手的COOLMOS要低6%。这样在应用中可减小MOSFET的功率损耗并提高其转换效率，改善其静态和动态特性。在产品综合性能上已经大领先于竞争对手。

图2：紫光微SJMOS与竞争对手CoolMOS的参数对比图

针对正激电源应用，本文推荐无锡紫光微的600V~700V产品，具体可用型号如图3所示，电流分布从11A至72A。重点推荐TPP65R170M，耐压650V，连续漏极电流20A，用于TTF电路中功率输出可达350~500W（根据散热条件不同）。在正激电路中，MOSFET没有谐振，所以只需要选用不带快恢复二极管的产品。

图3：紫光微正激电路推荐Multi-EPI SJMOS系列

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产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

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TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

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