派恩杰半导体携国产自研650V-1700V碳化硅器件及功率模块亮相2023第三届全球xEV驱动系统技术暨产业大会

时间： 2023-07-07 来源：派恩杰半导体公众号

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6月26-27日，由NE时代主办的2023第三届全球xEV驱动系统技术暨产业大会在上海嘉定如期召开。本次大会围绕“双循环·新格局”的主题，重点聚焦国内外新能源汽车行业发展业态。大会吸引了来自新能源汽车电驱动整车厂、驱动系统产业链、相关材料、设备、测试等上下游应用厂商，以及行业机构、科研院校、园区等的近千名嘉宾参与。业界大咖齐聚一堂，就“电驱产业‘双循环，新格局’ ”、“电驱动系统和关键部件技术”、“电机控制和关键器件技术”、“驱动电机新技术和新工艺”等话题展开热烈讨论。

大会现场

派恩杰半导体受邀并携公司650V-1700V碳化硅器件及功率模块亮相，引起与会技术专家和客户的广泛关注。凭借国际领先的技术水平和卓越的性能表现，赢得业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。

HPD封装SiC模块

派恩杰1200V/400A SiC模块PAAC12400CM，采用Press-fit技术与驱动板进行连接，使得装配过程更加可靠，派恩杰HPD封装SiC模块最大持续工作电流为400A，采用Pin-Fin结构利用水道进行散热，显著提高功率模块散热效率，提高模块的功率密度。派恩杰HPD模块专门为800V电机驱动系统开发，满足车规级要求。

同时，派恩杰设计专用模块测试评估板对模块进行动态参数设计，通过外部控制信号对模块进行双脉冲测试，驱动能力高达±30A，该评估板可直接压接在HPD封装模块上，板子尺寸为168mm*93mm，六路独立的驱动电源和驱动芯片可以轻松驱动PAAC12400CM。

SiC MOSFET性能可靠

作为一家主营车规级碳化硅功率器件的半导体公司，派恩杰致力于为客户提供稳定可靠的产品，并提供优质的服务。派恩杰的碳化硅MOSFET，除通过AEC-Q101车规级测试认证外，还进行多个内外部测试。

例如SiC MOSFET AC BTI可靠性研究，1000h的AC BTI试验Rdson变化率结果显示，派恩杰测试器件的Rdson变化率均小于1%，且不随时间推移变化，性能稳定，几乎达到硅MOSFET可靠性水平。

马拉松性能测试，派恩杰的P3M12080K3产品在栅压条件Vgs=25V，环境温度175℃的条件下，能够很好地消除SiC材料的失效风险，PPM为个位数，与国际竞品厂商论文及报告中的器件可靠性接近。这也意味着派恩杰产品不仅能通过严苛的车规测试，也可以很好地适用于新能源和光伏等领域。

1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告，在Vgs=-5V，Isd=5A的测试条件下，壳温达到130℃左右，P3M12080K3体二极管经过1000h直流可靠性测试，器件的性能退化均比较小，器件参数变化率远低于20%的失效标准。

展会精彩瞬间

派恩杰半导体始终坚持自主研发，致力于推动碳化硅器件国产替代。截至目前，派恩杰半导体量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为各个应用领域头部客户持续稳定供货并广受好评。面向未来，派恩杰期待以领先的技术以及对行业的深刻理解为客户带来质量稳定和安全可靠的功率芯片，为实现低碳节能、绿色可持续发展做出贡献。

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃