爱仕特1200V碳化硅功率MOSFET研制开发成功，平均良率达到80%水平

时间： 2021-11-02 来源：爱仕特

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爱仕特自确定1200V SiC MOSFET项目立项后，芯片研发部多位工程师历经数月的辛苦研究，针对芯片布局，结构，工艺进行完整全方面的软件模拟仿真，在团队以前设计经验的基础上加以改进，碳化硅功率MOSFET得到最优化的参数，与台湾代工厂多轮反复讨论及制定加工工艺条件，产线在线的调试工作，最终一轮流片试验成功，得到1200V SiC MOSFET，各项设计指标与仿真数据相差不到5%。此轮流片得到1200V、40毫欧的SiC MOSFET芯片，加工良率得到大幅度提升，平均良率达到80%水平。

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