【经验】死区时间对低功率变频器设计的重要性
使用变频器(Variable Frequency Inverter,VFD)的感应电机数量逐年增加,其中1 kW到100 kW变频器的应用市场最大。现代变频器多使用开关速率非常快的功率半导体器件,比如绝缘栅双极晶体管(IGBT)。变频器输出端电压的快速变化,会对电机电缆以及电机本身造成影响,因此在设计变频器时需要对相关因素加以考虑。本文主要讨论在设计低功率变频器时需要考虑的其中一个因素——死区时间。
死区时间是指为确保互补开关不出现同时导通而设置的一段时间,因此对变频器的稳定工作来说,正确设置死区时间是非常重要的。死区时间太小,可能会使互补开关同时导通,带来更高的谐波失真(THD)。
死区时间引入一个小的电压误差,就足以使电机电流畸变、电机扭矩振荡,甚至使电机失控。为了降低纹波电流和扭矩波动,必须提高载波频率。随着脉冲频率的提高,死区时间在整个调制周期中占据了很大一部分,导致平均负载电压的畸变也越来越严重。
畸变电压的计算公式如下:
其中,tdt代表死区时间,T代表载波频率对应的周期,fsw代表开关频率,VDC代表直流母线电压。因此,电机端电压Vm并不等于设定的参考电压Vref。畸变电压的正负取决于变频器的输出电流im,如图1所示。
图1 死区效应
由畸变电压的计算公式可知,开关频率越高,死区时间所产生的影响将更严重,结果是经过电压零点的电流产生畸变。因此,对于开关频率较高(与高功率驱动器相比)的低功率驱动器来说,尽可能地减小死区时间显得更为重要。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由宝丁翻译自Vincotech,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【技术】如何准确计算IGBT的驱动参数?
IGBT可靠的开通和关断是变频器稳定运行的核心。为了实现IGBT的通断,需要对IGBT的门极进行充电以达到门极开通电压Vge_on,以及对门极进行放电至门极关断电压Vge_off。因此,正确计算IGBT的驱动参数是保证其可靠通断的首要任务。
【经验】如何正确测试IGBT门极驱动波形?
本文以vincotech E3半桥IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动(SID1182K)为例,介绍在实际的IGBT驱动电路中如何正确测试门极驱动波形。
如何应对变频驱动器的常见故障?
本文详细介绍了变频驱动器(VFD)的故障原因,包括环境条件、电源线连接、总线故障、启动电流、电容问题和过流故障,并提供了相应的故障排除策略,以帮助维护VFD的正常运行和延长其使用寿命。
【经验】如何正确理解IGBT模块规格书中的电流参数?
IGBT规格书一般会给出ICnom、IC、ICRM、It(RMS)这几个电流参数。如何正确理解IGBT几个电流参数的定义和深层次的含义,本文将做详细的讲解。
【产品】1200V/100A七管封装功率IGBT模块,采用英飞凌第四代IGBT芯片技术
flow7PACK 2是Vincotech推出的一款具有优异电磁兼容性能,采用低电感flow 2封装的功率模块。
Vincotech flow E1/E2 Power Module With IGBT M7 for Higher Power Density up to 50A (PIM) and 100A (sixpack)
Featuring superior thermal performance and the IGBT M7 chip technology, Vincotech these modules provide customers with enhanced efficiency while reducing supply chain issues. Discover the PIM (CIB) and sixpack configurations with the power range extending up to 50A (PIM) and 100A (sixpack).
【选型】2.2KW变频器设计推荐1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28
Vincotech旗下1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28采用Flow0封装,集成整流桥+制动+逆变拓扑,是2.2KW变频器主拓扑的优选,目前已经成熟应用于该类变频市场,性价比高。
【应用】VincotechIGBT半桥模块A0-VS122PA600M7-L759F70用于变频器,饱和压降1.51V
变频器是工业控制的常用设备,在变频器的逆变电路部分,可采用三个半桥组成三相全桥拓扑。本文主要介绍Vincotech的IGBT半桥模块A0-VS122PA600M7-L759F70应用在160kW变频器的优势。
1200V/15A IGBT模块K200A70,匹配380V变频器2KW设计的兼容式PIM模块
基于2KW的380V系统变频器的主体架构,1200V电压和15A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA015M7-K200A70,规格1200V/15A,兼容式miniskiip封装,封装体积小(42mm*40mm*16mm),匹配2KW变频器的设计。
【经验】教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
在使用一款IGBT时,我们通常会参考datasheet中给定的参数,但实际应用中外部参数是变化的,要实际观测上述参数,最直观的方法就是双脉冲测试法。本文采用Vincotech E3半桥IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动芯片(SID1182K)设计一款双脉冲测试设备。教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
【应用】威科PIM模块10-FZ12PMA015M7-P840A28助力1.5kW变频器,实现高效小型化设计
变频器分低压、中压、高压都是用来控制一些通用型电机,在传动控制领域的应用非常广泛,而每个变频器的设计都离不开功率器件,本文重点介绍威科PIM模块10-FZ12PMA015M7-P840A28助力1.5kW变频器设计,实现高效小型化设计。
【应用】适于1.5KW的380V系统变频器的PIM模块K209A70,简化电路布局和散热系统
基于变频器的主体架构,1200V电压和10A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA010M7-K209A70,规格1200V/10A,匹配1.5KW变频器的设计。K209A70的PIM模块主要集成了三相整流桥、刹车系统、六管三相逆变和NTC热敏电阻,模块集成度高。该模块与分立器件方案相比,极大的简化了设计电路的布局和散热系统的搭建。
【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块
IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理,关系到IGBT能否长期稳定的工作。本文我们就以Vincotech的IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动芯片(SID1182K)为例,验证SID1182K能否驱动600A/1200V IGBT模块。
【应用】国产16位模数转换芯片SC1269用于变频器温度采集模块,有效提升ADC动态特性
变频器温度采集模块需要通过控制降低输入电流与电压来降低功率,从而形成闭环控制。本文推荐芯炽的SC1269,这是一款双通道16位,最高转换速度125MSps,基于流水线架构,内部集成了时钟缓冲、基准电压源等功能模块,实现对模拟输入高速高精度模数转换。
电子商城
现货市场
服务
可定制高压耐热绝缘电缆的材质:导体-镀锡/镀镍软铜线,绝缘体-架桥难燃PE/氟素树脂PFA,工作电压:300-600V,工作温度:150-200℃,阻燃对应UL:VW-1、FT1、-F-mark规格。
最小起订量: 3000m 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论