【产品】支持单/双/四通道模式的8M-bit串行存储器ZD25WQ80B，可用于各种大容量消费类应用

时间： 2022-03-27 来源：ZETTA

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澜智（ZETTA）推出的ZD25WQ80B是一款8M-bit串行接口Flash存储器设备，该8M-bit串行存储器可用于各种大容量消费类应用，其程序代码可以从Flash存储器中映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备具有灵活的擦除架构和页擦除粒度，是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需求。

该设备已经对块擦除大小进行了优化，以满足当今的代码和数据存储应用程序的需求。通过优化块擦除的大小，可以更有效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在它们自己的擦除区域中，因此大扇区和大块擦除闪存设备可以大大减少浪费和未使用的内存空间。这种增加的内存空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时仍然保持相同的总体设备密度。

该设备还包含一个额外的3*512字节的带OTP锁的安全寄存器(One-Time Programmable)，可以用于唯一设备序列化，系统级电子序列号(ESN)存储，锁密钥存储等目的。

该设备专为许多不同的系统而设计，支持读取、编程和擦除操作，供电电压范围从1.65V到3.6V。编程和擦除不需要单独的电压。

一般特征如下：

（1）单电源1.65V到3.60V供电

- 1.65V-3.6V用于读取，擦除和编程操作

（2）工业温度范围为-40℃~ 85℃

（3）SPI兼容:

支持SPI模式0、模式3

（4）单通道，双通道和四通道IO模式

- 8M x 1bit

- 4M x 2bits

- 2M x 4bits

(5)灵活的代码和数据存储架构

-统一256字节页编程

-统一256字节页擦除

-统一4k字节扇区擦除

-统一32K/ 64k字节块擦除

-全芯片擦除

性能如下：

（1）快速读取

- 4 I/O 104MHz，2+4个假周期，相当于416M

- 2 I/O 104MHz，4个假周期，相当于208M

- 1 I/O 104MHz，8个假周期

（2）快速编程和擦除速度

- 2ms 页编程时间

- 10ms 页擦除时间

- 10ms 4k字节扇区擦除时间

- 10ms 32k字节的块擦除时间

- 10ms 64k字节的块擦除时间

（3）突发读操作

- 8/16/32/64字节包装

（4）超低功耗

- 0.1uA 深度睡眠电流

- 12uA 待机电流

- 4mA 33MHz下的读操作电流

- 6mA 编程操作或擦除电流

（5）高可靠性

- 100,000次编程/擦除周期

- 数据存储20年

软件特性如下：

（1）一次性可编程(OTP)安全寄存器

-带有OTP锁的3*512字节安全寄存器

（2）软件保护模式

-块保护 (BP4、BP3、BP2、BP1和BP0)位定义了存储阵列中可以使用的部分，可以读但不可以更改。

（3）每个设备128位唯一标识

（4）编程/擦除暂停和编程/擦除恢复

（5）JEDEC标准制造商和设备ID读取方法

硬件特性如下：

（1）硬件保护模式

-通过WP引脚硬件控制锁定保护扇区

（2）行业标准绿色封装选项

- 8-pin SOP (150mil/208mil)

- 8-land USON (3x2x0.55mm)

- 8-land WSON (6x5mm)

- 8-pin TSSOP

- WLCSP

- KGD for SiP

管脚分配如下图所示：

管脚描述如下：

CS#：片选信号；SO：串行数据输出信号； WP#：写保护信号，低有效； GND：地

SI：串行数据输入信号； SCLK：串行时钟输入信号； HOLD#：暂停操作信号； VCC：电源供电信号。

内部框图如下：

内存地址映射：

存储器阵列可以在三个级别的粒度被擦除，包括整芯片擦除。块擦除的大小针对代码和数据存储应用程序进行了优化，允许代码和数据段驻留在它们自己的擦除区域中。

ZD25WQ80B内存组织如下：

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