【产品】工作电压30V，漏极电流45A的P沟道增强型场效应管，适用负载开关应用
扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管YJD45P03A，已100%通过UIS（非嵌位感性负载开关过程）和▽VDS测试，非常适用于电池保护、电源管理、负载开关等相关应用。
图1 YJD45P03A封装及电路图
YJD45P03A漏源电压-30V，漏电流-45A（@TC=25°C），适用于低漏源电压的场景。RDS（ON）最大值不超过7.0mΩ（@VGS= -20V, ID=-20A），较低的导通电阻可降低开关损耗。另外，YJD45P03A可支持高速切换，其启动延迟时间典型值仅为8ns，启动上升时间典型值仅为19ns（@VGS=-10V,VDD=-15V, ID=-1A, RGEN=2.5Ω），反向恢复时间典型值仅为18ns，非常适用于需求高速切换的应用。结温和储存温度范围均为-55°C～+175°C，具有极强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
YJD45P03A特点：
沟槽功率低压MOSFET技术
高密度单元设计，具有低RDS（ON）
高速切换
YJD45P03A应用：
电池保护
负载开关
电源管理
YJD45P03A订购信息：
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