【产品】工作电压30V,漏极电流45A的P沟道增强型场效应管,适用负载开关应用
扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管YJD45P03A,已100%通过UIS(非嵌位感性负载开关过程)和▽VDS测试,非常适用于电池保护、电源管理、负载开关等相关应用。
图1 YJD45P03A封装及电路图
YJD45P03A漏源电压-30V,漏电流-45A(@TC=25°C),适用于低漏源电压的场景。RDS(ON)最大值不超过7.0mΩ(@VGS= -20V, ID=-20A),较低的导通电阻可降低开关损耗。另外,YJD45P03A可支持高速切换,其启动延迟时间典型值仅为8ns,启动上升时间典型值仅为19ns(@VGS=-10V,VDD=-15V, ID=-1A, RGEN=2.5Ω),反向恢复时间典型值仅为18ns,非常适用于需求高速切换的应用。结温和储存温度范围均为-55°C~+175°C,具有极强的环境适应性,可很好适应较宽温度范围的环境。
YJD45P03A特点:
沟槽功率低压MOSFET技术
高密度单元设计,具有低RDS(ON)
高速切换
YJD45P03A应用:
电池保护
负载开关
电源管理
YJD45P03A订购信息:
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