【产品】采用SOT-23S封装的P沟道增强型MOSFET AM3415B，漏源电压-20V、栅源电压±8V
创瑞科技（AIT）推出的AM3415B是一款采用SOT-23S封装的P沟道增强型MOSFET，漏源电压-20V，栅源电压±8V，连续漏极电流-4.2A，静态漏源导通电阻典型值35mΩ@-4.5V、45mΩ@-2.5V、55mΩ@-1.8V、70mΩ@-1.5V。
特点
· ESD耐受：3kV
· 采用SOT-23S封装
应用
· 负载开关
· 便携式设备
· DC/DC转换器
尺寸图（单位：mm）
极限值（TA=25℃，除非另有说明）
主要电气特性（TA=25℃，除非另有说明，无自热）
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