【产品】采用SOT-23S封装的P沟道增强型MOSFET AM3415B，漏源电压-20V、栅源电压±8V

时间： 2020-11-14 来源：AiT

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P沟道增强型MOSFET,AM3415B,AM3415BE3SR,AM3415BE3SVR

创瑞科技（AIT）推出的AM3415B是一款采用SOT-23S封装的P沟道增强型MOSFET，漏源电压-20V，栅源电压±8V，连续漏极电流-4.2A，静态漏源导通电阻典型值35mΩ@-4.5V、45mΩ@-2.5V、55mΩ@-1.8V、70mΩ@-1.5V。

特点

· ESD耐受：3kV

· 采用SOT-23S封装

应用

· 负载开关

· 便携式设备

· DC/DC转换器

尺寸图（单位：mm）

极限值（T_A=25℃，除非另有说明）

主要电气特性（T_A=25℃，除非另有说明，无自热）

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