【产品】漏源电压30V，漏极电流18A的低压P沟道增强型场效应管，适用于不间断电源应用
YJS4447B是扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管，已100%通过▽VDS测试，具有高功率和电流处理能力，非常适用于大电流负载应用、负载切换、硬开关和高频电路、不间断电源供应等相关应用。
图1 YJS4447B封装及电路图
YJS4447B的漏源电压为-30V，漏极电流为-18A（@TC=25°C），适用于低压电路。具有低RDS（ON），最大值不超过6.2mΩ（@VGS= -10V, ID= -15A），低导通电阻可有效降低开关损耗。另外，结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
YJS4447B特点：
沟槽型功率低压MOSFET技术
高功率和电流处理能力
YJS4447B应用：
大电流负载应用
负载切换
硬开关和高频电路
不间断电源供应
YJS4447B订购信息：
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品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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现货市场
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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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