【产品】漏源电压30V，漏极电流18A的低压P沟道增强型场效应管，适用于不间断电源应用
YJS4447B是扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管，已100%通过▽VDS测试，具有高功率和电流处理能力，非常适用于大电流负载应用、负载切换、硬开关和高频电路、不间断电源供应等相关应用。
图1 YJS4447B封装及电路图
YJS4447B的漏源电压为-30V，漏极电流为-18A（@TC=25°C），适用于低压电路。具有低RDS（ON），最大值不超过6.2mΩ（@VGS= -10V, ID= -15A），低导通电阻可有效降低开关损耗。另外，结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
YJS4447B特点：
沟槽型功率低压MOSFET技术
高功率和电流处理能力
YJS4447B应用：
大电流负载应用
负载切换
硬开关和高频电路
不间断电源供应
YJS4447B订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由两斤樱桃翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】-20V/-16A P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，封装为DFN2020-6L
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，采用沟槽式场效应管技术，使用高密度单元设计，具有低的RDS（ON），可高速开关。该产品采用DFN2020-6L的封装，漏源电压为-20V，漏极电流为-16A（TA=25℃时）。
【产品】-30V/-7.0A的P沟道增强型场效应晶体管YJL07P03AL，采用SOT-23-3L封装
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJL07P03AL，采用SOT-23-3L封装，漏源电压为-30V，漏极电流为-7.0A（TA=25℃时）。该产品采用沟槽低压功率MOSFET技术，使用高密度单元设计，因此有低的RDS（ON）。
【产品】-30V/-3.0A的P沟道增强型场效应晶体管YJL2303A，采用SOT-23封装
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJL2303A，采用SOT-23封装，漏源电压为-30V，漏极电流为-3.0A（TA=25℃时）。采用沟槽低压功率MOSFET技术，使用高密度单元设计，具有低的RDS（ON），并且可高速开关。主要应用领域包括PMW应用、负荷开关和电源管理。
电子商城
品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
现货市场
服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论