【产品】采用DFN5060-8L封装的-40V/-16A P沟道增强型MOSFET PJQ5453

2019-11-26 PANJIT
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PANJIT作为全球领先的半导体分离器件制造商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的研发生产。PJQ5453是PANJIT公司推出的一款采用DFN5060-8L封装的P沟道增强型MOSFET，漏源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流的最大额定值为-16A，上升时间的典型值为27ns，上升时间的典型值为40ns。


该P沟道增强型MOSFET特点：

•RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-10A<45mΩ

•RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5A<68mΩ

•高开关速度

•提升的dv/dt能力

•栅极电荷低

•反向传输电容低

•符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准

•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

 

机械数据：

•外壳：DFN5060-8L封装

•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）

•重量约：0.0028盎司，0.08克


表1 该MOSFET最大额定值

技术顾问：平步青云
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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P沟道增强型MOSFET PJQ5453 PANJIT 管状电机

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  • 小康 Lv7. 资深专家 2019-11-27
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址： 西安 提交需求>

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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。

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