【产品】采用DFN5060-8L封装的-40V/-16A P沟道增强型MOSFET PJQ5453
PANJIT作为全球领先的半导体分离器件制造商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的研发生产。PJQ5453是PANJIT公司推出的一款采用DFN5060-8L封装的P沟道增强型MOSFET，漏源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流的最大额定值为-16A，上升时间的典型值为27ns，上升时间的典型值为40ns。
该P沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-10A<45mΩ
•RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5A<68mΩ
•高开关速度
•提升的dv/dt能力
•栅极电荷低
•反向传输电容低
•符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
•外壳：DFN5060-8L封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.0028盎司，0.08克
表1 该MOSFET最大额定值
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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AEC-Q101 Qualified
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N
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Single
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40
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20
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136
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3
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3050
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3.5
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43
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实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
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