【产品】650V/7.5A N沟道超结功率MOSFET RM8N650DF,具有低栅极电荷和低RDS(ON)的优点

2019-11-17 丽正国际
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丽正国际推出的RM8N650DFN沟道超结功率MOSFET,该系列器件采用先进的超级结技术和设计,具有低栅极电荷和低RDS(ON)的优点,符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。

在Tc=25°C时,RM8N650DF的漏源电压最大额定值为650V,栅源电压最大额定值为±30V,连续漏极电流最大额定值为7.5A,单脉冲雪崩能量最大额定值为156mJ。此外,产品工作结温和储存温度范围为-55~150℃,能够适应恶劣的工业环境。结壳热阻最大为2.15℃/W,散热能力较好。漏源导通电阻典型值仅460mΩ(VGS=10V,ID=4A),导通损耗较低。



产品特性:

用于高压设备的新技术

低导通电阻和低传导损耗

小型封装

超低栅极电荷,驱动要求低

经过100%雪崩测试

符合ROHS标准


应用领域:

功率因数校正(PFC)

开关电源(SMPS)

不间断电源(UPS)

无卤素应用


订购信息:

 


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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