【产品】650V/7.5A N沟道超结功率MOSFET RM8N650DF,具有低栅极电荷和低RDS(ON)的优点
丽正国际推出的RM8N650DF是N沟道超结功率MOSFET,该系列器件采用先进的超级结技术和设计,具有低栅极电荷和低RDS(ON)的优点,符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
在Tc=25°C时,RM8N650DF的漏源电压最大额定值为650V,栅源电压最大额定值为±30V,连续漏极电流最大额定值为7.5A,单脉冲雪崩能量最大额定值为156mJ。此外,产品工作结温和储存温度范围为-55~150℃,能够适应恶劣的工业环境。结壳热阻最大为2.15℃/W,散热能力较好。漏源导通电阻典型值仅460mΩ(VGS=10V,ID=4A),导通损耗较低。
产品特性:
用于高压设备的新技术
低导通电阻和低传导损耗
小型封装
超低栅极电荷,驱动要求低
经过100%雪崩测试
符合ROHS标准
应用领域:
功率因数校正(PFC)
开关电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
无卤素应用
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