【产品】TO252-2封装、30V/50A的N沟道增强型功率MOSFET AM4102
AIT公司的N沟道增强型功率MOSFET AM4102，提供TO252-2封装，优异的散热包装，漏源极电压30V，栅源极电压±20V，连续漏极电流为50A。AM4102采用了先进的沟槽技术和设计，以提供极好的RDS(ON)和较低的门电荷，它可以用于各种各样的应用。
订购信息：
特征：
①VDS=30V, ID=50A
RDS(ON) <11mΩ@ VGS =10V
RDS(ON) <16mΩ@ VGS =5V
②高密度电池设计可实现超低RDSON
③全面表征雪崩电压和电流
④高EAS时具有良好的稳定性和均匀性
⑤优异的散热包装
⑥特殊工艺技术可实现高ESD能力
⑦提供TO252-2封装
应用领域：
①电源开关应用
②硬开关和高频电路
③不间断电源
典型应用：
图1
引脚说明：
图2
绝对最大额定参数（TC= 25°C,除非另有说明）：
热特性：
电气特性（TC= 25°C,除非另有说明）：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 40
本文由CW翻译自AiT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（40）
-
![]()
![]()
31648803 Lv4. 资深工程师 2019-11-20学习 -
![]()
![]()
Kim Lv7. 资深专家 2019-11-20创瑞科技 -
![]()
![]()
崇乾 Lv8. 研究员 2019-11-19学习了 -
![]()
![]()
用户神他哥 Lv4. 资深工程师 2019-11-18学习 -
![]()
![]()
好运常伴吾 Lv8. 研究员 2019-11-18学习了 -
![]()
![]()
WAY Lv4. 资深工程师 2019-11-17学习 -
![]()
![]()
海阔天空007 Lv4. 资深工程师 2019-11-17学习学习 -
![]()
![]()
WT20030220 Lv6. 高级专家 2019-11-17学习 -
![]()
![]()
婉怡 Lv5. 技术专家 2019-11-16学习 -
![]()
![]()
江城搬砖工 Lv7. 资深专家 2019-11-15不错啊
正在努力加载……相关推荐
【产品】30V，N沟道增强型功率MOSFET AM3400A，适合高效率、高开关频率的应用
AiT推出的AM3400A是N沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术，在25°C的环境温度下，AM3400A可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为6.2A，非常适合高效率、高开关频率的应用。
【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM6594，栅极阈值电压典型值为1.6V，导通电阻可低至4.5mΩ
AiT推出的AM6594是N沟道增强型功率MOSFET，它采用沟槽DMOS技术，可以最大限度地降低导通电阻，可用于无线充电、DC / DC变换器以及负载开关的应用设计中。
【产品】60V/50A N沟道增强型功率MOSFET RM50N60LDV
RM50N60LDV是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。在TC=25°C时，RM50N60LDV可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为50A。
AO4410 N沟道增强型功率MOSFET
描述- AO 4410是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，具有低RDS(ON)和低栅极电荷的特点。该产品适用于多种应用，包括电源开关、硬开关和高频电路，以及不间断电源。
型号- AO4410
【产品】500V/5A的N沟道增强型功率MOSFET SFF5N50TS/SFD5N50TS，采用平面条形VDMOS技术
SFF5N50TS/SFD5N50TS是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装，适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
AM50N06 MOSFET 60V 50A N沟道增强型功率MOSFET
描述- AM50N06是一款60V 50A N-Channel增强型功率MOSFET，适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。该产品具有快速开关、低导通电阻、低栅极电荷等特点，并符合欧盟RoHS指令。
型号- AM50N06,AM50N06PJ8R,AM50N06PJ8VR
RMD50N40DF N沟道增强型功率MOSFET\n
描述- 该资料介绍了RMD50N40DF型号的N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的槽技术设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
型号- RMD50N40DF
NCE0106AR NCE N沟道增强型功率MOSFET
描述- NCE0106AR是一款采用先进沟槽技术的N-Channel增强型功率MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。该器件适用于多种电源开关应用，包括硬开关和高频电路，以及不间断电源。
型号- NCE0106AR
AM3400 MOSFET 30V N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了AiT Semiconductor Inc.生产的AM3400型号30V N-Channel增强型功率MOSFET。该器件具有高功率和电流处理能力，适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。它采用无铅表面贴装技术，封装为SOT-23。
型号- AM3400E3R,AM3400,AM3400E3VR
HM4410B N沟道增强型功率MOSFET
描述- HM4410B是一款采用先进沟槽技术的N-Channel增强型功率MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种电源开关应用，包括硬开关和高频电路，以及不间断电源。
型号- HM4410B
RMD20N60DFV N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了RMD20N60DFV N沟道增强型功率MOSFET的特性。它采用先进的槽技术设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用。主要特性包括高密度单元设计、良好的稳定性和均匀性、优秀的散热性能和高ESD能力。
型号- RMD20N60DFV
【产品】群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列，支持DFN1006-3L外壳封装，具有快速开关特性
群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
HM4830A双通道N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了HM4830A双通道增强型功率MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用，包括电源开关应用、硬开关和高频电路以及不间断电源。
型号- HM4830A
【应用】N沟道增强型功率MOSFET HM2318D可用于笔记本电脑的电源管理电路，漏源导通电阻典型值为32mΩ
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2318D漏源导通电阻小，开关损耗低，漏源击穿电压高，采用DFN2X2-6L贴片封装，能提高笔记本电脑电源管理电路工作效率和电池寿命，保证笔记本电脑电源管理电路的安全稳定，能满足笔记本电脑小型化设计需求。
【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET RM100N60DFV，可提供优良的低导通电阻
RM100N60DFV是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，该产品适用于多种应用。
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论