【产品】TO252-2封装、30V/50A的N沟道增强型功率MOSFET AM4102

时间： 2019-10-18 来源：AiT

技术问答

AIT公司的N沟道增强型功率MOSFET AM4102，提供TO252-2封装，优异的散热包装，漏源极电压30V，栅源极电压±20V，连续漏极电流为50A。AM4102采用了先进的沟槽技术和设计，以提供极好的RDS(ON)和较低的门电荷，它可以用于各种各样的应用。

订购信息：

特征：

①VDS=30V, ID=50A

RDS(ON) <11mΩ@ VGS =10V

RDS(ON) <16mΩ@ VGS =5V

②高密度电池设计可实现超低RDSON

③全面表征雪崩电压和电流

④高EAS时具有良好的稳定性和均匀性

⑤优异的散热包装

⑥特殊工艺技术可实现高ESD能力

⑦提供TO252-2封装

应用领域：

①电源开关应用

②硬开关和高频电路

③不间断电源

典型应用：

图1

引脚说明：

图2

绝对最大额定参数（TC= 25°C,除非另有说明）：

热特性：

电气特性（TC= 25°C,除非另有说明）：

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31648803 Lv4. 资深工程师 2019-11-20

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Kim Lv7. 资深专家 2019-11-20

创瑞科技
崇乾 Lv8. 研究员 2019-11-19

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用户神他哥 Lv4. 资深工程师 2019-11-18

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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2019-11-18

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WAY Lv4. 资深工程师 2019-11-17

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海阔天空007 Lv4. 资深工程师 2019-11-17

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江城搬砖工 Lv7. 资深专家 2019-11-15

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