【产品】TO252-2封装、30V/50A的N沟道增强型功率MOSFET AM4102
AIT公司的N沟道增强型功率MOSFET AM4102，提供TO252-2封装，优异的散热包装，漏源极电压30V，栅源极电压±20V，连续漏极电流为50A。AM4102采用了先进的沟槽技术和设计，以提供极好的RDS(ON)和较低的门电荷，它可以用于各种各样的应用。
订购信息：
特征：
①VDS=30V, ID=50A
RDS(ON) <11mΩ@ VGS =10V
RDS(ON) <16mΩ@ VGS =5V
②高密度电池设计可实现超低RDSON
③全面表征雪崩电压和电流
④高EAS时具有良好的稳定性和均匀性
⑤优异的散热包装
⑥特殊工艺技术可实现高ESD能力
⑦提供TO252-2封装
应用领域：
①电源开关应用
②硬开关和高频电路
③不间断电源
典型应用：
图1
引脚说明：
图2
绝对最大额定参数（TC= 25°C,除非另有说明）：
热特性：
电气特性（TC= 25°C,除非另有说明）：
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Kim Lv7. 资深专家 2019-11-20创瑞科技 -
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海阔天空007 Lv4. 资深工程师 2019-11-17学习学习 -
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WT20030220 Lv6. 高级专家 2019-11-17学习 -
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江城搬砖工 Lv7. 资深专家 2019-11-15不错啊
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AM023NS10H 100V 180A~326A N-CHANNEL ENHANCED POWER MOSFET
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