【经验】延长40V/130A六合一MOSFET模块使用使用寿命小技巧

2019-07-16 世强 honglei
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汽车EPS分为有刷和无刷,有刷用4个MOSFET,无刷用6个MOSFET,EPS的工作电源采用汽车的12V电源系统,考虑到电机反电动势和电压裕量,选择40V耐压的MOSFET足以满足设计需求,推荐SHINDENGEN MG005G 40V/130A六合一MOSFET模块,不但可以解决模块散热的问题,还可以最大程度上减小PCB板面积。想了解该模块的内部结构和管脚定义及设计参数可参考《六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计》这篇文章。而本文主要是针对MOSFET模块在实际应用使用寿命短的问题,是否可用设计技巧提升MOSFET模块使用寿命呢?


Shindengen MG005G MOSFET模块作为逆变模块实现DC/AC功能,在进行开关的时候,高频电流从电解电容器通过开关模块(MG005G)再返回到电解电容器的闭路中通过,发生高di/dt。在该配线L1比较长的情况下,配线电感所造成的L1·di/dt 浪涌电压就会作为关断浪涌电压被施加到模块上面,如果它超过耐压值,就会达到雪崩电压,生成钳位电压。如果在这种状态下工作,关断开关损耗就会增加,会缩减MOSFET模块寿命,参考电路如下图1所示。


 

图1:MG005G MOSFET模块用于EPS设计的部分电路原理


图中的电感L1、L2、L3说明:

L1:连接电解电容器与MOSFET 模块的配线电感。

L2:旁路电容器的引线电感。如果该电感比较大,旁路电容器的吸收效果就消失了。

L3:连接负载电机的配线电感。


通过上面介绍,已清楚造成MOSFET模块寿命减少的主要因素是连接电解电容器与MOSFET 模块的配线电感L1所造成的L1·di/dt浪涌电压,想要延长MOSFET模块的使用寿命,在设计时就要尽量减少配线电感所造成的L1·di/dt 浪涌电压,而减少这种损耗的方法有以下几种:

1)使电解电容器与模块尽量靠近,以减少配线电感(L1)。

2)降低模块的开关速度,使di/dt降低。

3)在MOSFET模块的附近连接薄膜类的电容器,使高频电流形成旁路。

4)选择低阻抗型DC-LINK电解电容器。

5)使用MOSFET模块吸收电路,对浪涌电压进行吸收。


在上述方法中,降低L1·di/dt浪涌对MOSET 模块冲击最有效的方法是1和2。


不过,因为MOSFET模块的工作场合一般是上百KHz高速运转,为了构成复杂的电路,不可无视吸收电路自身的配线所产生的电感。同时,尽管1非常有效,但是由于目前的安装技术水平有限,只能尽量把配线L1缩短,不能完全抑制住的浪涌电压则需要采用3、4、5的方法加以改善。但是,在采用方法3产生振荡的时候,有时将3中的电容器设置为RC,RCDi 吸收电路比较有效。


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