【产品】30V/5.8A N沟道增强型功率MOSFET RM3400A，采用SOT-23-3L封装
丽正国际推出的RM3400A是一款N沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）以及极低栅极的电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作电池保护或其他开关应用。在环境温度为25°C时，RM3400A漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为5.8A，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为89℃/W。RM3400A采用SOT-23-3L封装，其产品图如图1所示，
图1 RM3400A产品图
RM3400A产品特性
VDS = 30V,ID = 5.8A
RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=2.5V
RDS(ON) < 42mΩ @ VGS=4.5V
RDS(ON) < 40mΩ @ VGS=10V
高功率和电流处理能力
无铅产品
表面贴装
RM3400A应用领域
PWM应用
负荷开关
电源管理
RM3400A订购信息
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