【产品】 GaN高频增强型大功率场效应管,栅极输入电容仅210pF

【产品】低损耗高效率GaN高频增强型功率晶体管，总栅极电荷仅370pC

EPC的EPC8009导通电阻为90mΩ，具有很低的FOM值。

【产品】无反向恢复时间的高压大电流GaN增强功率晶体管

EPC8002氮化镓增强型功率晶体管反向恢复电荷QRR为0nC,无反向恢复时间，可用于电源设计。

【产品】输入电容仅为14pF的GaN增强型功率MOS管，超高开关速度首选

EPC的EPC2037可实现极高速的开关功能，输入电容低至14pF，输出电容低至6.5pF，反向恢复电容仅为0.1pF，栅极电荷为115pC，尤其适合低功率，高开关频率的应用。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

宜普将在CES 2024展示基于氮化镓技术的消费电子应用场景，分享为该领域产品增强功能和性能的解决方案

增强型氮化镓（eGaN®）FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司（EPC）将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ，包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。CES展会期间，EPC的技术专家将于2023年1月9日至12日在套房与客户会面、进行技术交流、讨论氮化镓技术及其应用场景的最新发展。

【应用】开关速度为纳秒级的氮化镓功率MOSFET助力包络跟踪电源

EPC的氮化镓功率MOSFET其开关速度在纳秒级范围，具备超快速开关性能，可应用于包络跟踪的高频多相降压转换器中。

EPC在全数字国际消费电子展(CES®) 展示基于氮化镓技术的消费电子应用

宜普电源转换公司（EPC）宣布在1月11日至14日举行的全数字国际消费电子展（CES）展示其eGaN®技术如何改变了消费电子应用的游戏规则并提高产品性能，包括全自动驾驶汽车、电动交通、无人机、机器人和48V功率转换等应用。

【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？

EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W，而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。

【技术】论氮化镓技术及其产品的发展与应用

EPC第五代氮化镓eGaN技术的产品系列，无论在性能及成本上都实现质的飞跃——产品具备更高的性能、小型化及更低的成本。

【应用】亚纳秒级的增强型eGaN FET助力实现真正的无线充电

应用于放大器的氮化镓场效应晶体管及集成电路具备卓越性能，成为高度共振式并与AirFuel标准兼容的无线充电系统的理想器件。

【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ

新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。