【产品】 GaN高频增强型大功率场效应管,栅极输入电容仅210pF
氮化镓是一种新型的硅替代材料,性能比硅优胜6000多倍,坚固耐用,而且成本更低。宜普电源转换公司(EPC)是氮化镓场效应晶体管的重要生产者和推动者。现介绍其推出的一款基于氮化镓的增强型功率晶体管--EPC2039。
EPC2039是一款额定电压80V,额定电流6.8A,脉冲电流高达50A的GaN增强型功率场效应管,可工作于高电压环境,适用于高频DC-DC变换器、无线电源传送和光学遥感技术、脉冲功率等领域。
EPC2039的栅极输入电容典型值仅为210pF,有着极低的开关延迟。输出电容典型值为115pF,反向传输电容2pF,极低的电容值可以减少电路的谐振,保证信号的不失真传输,并且降低开关的上升和下降时间。
EPC2039的导通阻抗最大为25mΩ,导通损耗较低,芯片产热低,便于产品散热处理和控制。栅极电压Vgs为-4V到6V,门槛电压为0.8V,总栅极电荷最大仅2370pC,有着超低的电荷存储效应,因此开关损耗极低,能达到高开关频率并取得高效率。EPC2039的结温范围为-40~150℃(符合汽车级温度范围),工作温度范围宽,可以满足不同工作环境的需求。它的尺寸为1.35 mm x 1.35 mm。芯片符合RoHS 6/6的标准,并且无卤素。可应用于工业自动化、D类音频放大器、同步整流等。
图一:产品图片
产品特性:
• 额定电压:80V
• 额定电流:6.8A
• 额定脉冲电流:50A
• 符合RoHS 6/6
• 无卤素
• 低导通电阻25mΩ(VGS = 5 V, ID = 6 A)
• 低总栅极电荷2370pC
图二:25℃时的典型输出特性
应用领域:
• 高频DC-DC变换器
• 无线电源传送
• 光学遥感技术/脉冲式功率应用
技术顾问:方枭毅
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小万 Lv7. 资深专家 2018-11-21可以下载看看,不错的资料。
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
|
0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
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型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
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EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?
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EPC氮化镓晶体管选型表
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产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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3.4
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
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品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
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