【产品】锐骏半导体推出N沟道增强型功率MOSFET RUH3051M，漏-源导通电阻典型值可低至4.2mΩ
RUH3051M是锐骏半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，开关速度快，能够提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)，可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
特点
30V/50A,
RDS (ON) =4.2mΩ(典型值)@VGS=10V
RDS (ON) =6mΩ(典型值)@VGS=4.5V超低导通电阻
开关速度快
100%雪崩测试
提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准）
应用
DC/DC 转换器
服务器的板载电源
同步整流应用场合
引脚说明
绝对最大额定值
电气特性 (TC=25℃ 除非另有说明)
注意
①最大电流受源极绑定限制。
②脉冲宽度受安全操作区域限制。
③安装在1英寸方形铜板上时，t 10sec。
④受限于Tjmax，IAS = 13A，VDD = 24V，RG = 50Ω，起始TJ = 25 ° C。
⑤脉冲测试；脉冲宽度300s，占空比2 %。
⑥由设计保证，不经过生产测试。
器件订购信息
典型值特性
封装信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由清酒翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】漏源电压绝对最大额定值为20V的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，采用超高密度单元设计
锐骏半导体推出一款采用SOP-8封装的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，该器件具有坚固可靠、无铅、绿色环保并符合RoHS标准等特点，适合用于电源管理。
产品 发布时间 : 2022-12-29
【产品】N沟道高级功率MOSFET RU6888M，具有超低导通电阻的优点，漏源电压可达68V
锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET RU6888M，采用超高密度单元设计，具有超低导通电阻的优点，通过了100%雪崩测试，可以提供无铅和绿色器件（符合RoHS），TC=25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压可达68V。
产品 发布时间 : 2023-03-01
【产品】30V/20A双N沟道高级功率MOSFET RU30D20M3，适用于开关应用系统
锐骏半导体推出RU30D20M3型号的双N沟道高级功率MOSFET，漏源电压30V，漏电流最大可达20A，温度范围-55~150℃，经过100%雪崩测试，无铅器件，符合RoHS要求，适用于开关应用系统，服务器的板载电源，同步整流应用场合。
产品 发布时间 : 2022-05-14
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论