【产品】锐骏半导体推出N沟道增强型功率MOSFET RUH3051M，漏-源导通电阻典型值可低至4.2mΩ
RUH3051M是锐骏半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，开关速度快，能够提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)，可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
特点
30V/50A,
RDS (ON) =4.2mΩ(典型值)@VGS=10V
RDS (ON) =6mΩ(典型值)@VGS=4.5V超低导通电阻
开关速度快
100%雪崩测试
提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准）
应用
DC/DC 转换器
服务器的板载电源
同步整流应用场合
引脚说明
绝对最大额定值
电气特性 (TC=25℃ 除非另有说明)
注意
①最大电流受源极绑定限制。
②脉冲宽度受安全操作区域限制。
③安装在1英寸方形铜板上时，t 10sec。
④受限于Tjmax，IAS = 13A，VDD = 24V，RG = 50Ω，起始TJ = 25 ° C。
⑤脉冲测试；脉冲宽度300s，占空比2 %。
⑥由设计保证，不经过生产测试。
器件订购信息
典型值特性
封装信息
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