【产品】适用于电动汽车动力系统新型SiC MOSFET E系列，首次满足AEC-Q101标准要求
2018年8月1日，通过推出E系列SiC MOSFET，WOLFSPEED扩展了其在碳化硅MOSFET领域的领导地位。这是工业界首款符合汽车标准，达到PPAP（Production part approval process，生产件批准程序）要求，以及耐潮湿的MOSFET。它采用了Wolfspeed的第三代技术，具有业界最低的开关损耗和最高的品质因数。E系列MOSFET针对EV电池充电器和高压DC/DC转换器进行了优化，可用于Wolfspeed的6.6kW双向功能板载充电器参考设计且适用于电动汽车动力系统。
图1 Wolfspeed E系列SiC MOSFET产品外观
这里要介绍的E系列SiC MOSFET型号包括：E3M0280090D，E3M0065090D以及E3M0120090D。它们同时满足AEC-Q101汽车标准以及PPAP要求。而且还在整个工作温度范围内达到了至少900V的Vbr（阻断电压），使得其在工作温度升高后保持较高的稳定性；这三款E系列SiC MOSFET都具有低输出电容，开关损耗较低，具有较高的开关速度。并且具有低漏源通态电阻RDS(on)的特点，导通状态下损耗极低，能量利用率较高。而且，这些MOSFET都有具有低反向恢复(Qrr)的快速二极管，节省了外部电路元器件的使用，具有易于驱动的优势。
图2 三款E系列SiC MOSFET的主要性能参数对比
首先，三款E系列SiC MOSFET的工作结温均高达150℃，可用于较高的温度环境，满足汽车环境的高温度要求；同时，由图2可以看出，E3M0065090D具有更高的额定电流，表明其支持更高的漏源极电流，具有更强的带负载能力。同时，E3M0280090D具有更低的门电荷，反向恢复电荷，输出电容以及反向恢复时间，表明其支持更高的开关速度，有利于提高有利于提高整个系统的工作频率；除此之外，E3M0065090D具有更低的漏源通态电阻，小的RDS(ON)值有利于减小导通期间器件产生的损耗。
E系列SiC MOSFET主要电气参数：
1、漏极-源极电压VDS MAX ：900V
2、漏源通态电阻RDS：E3M0280090D：280mΩ
E3M0065090D：65mΩ
E3M0120090D：120mΩ
3、工作温度：-55℃ - 150℃
4、漏极连续电流ID：E3M0280090D：11.5A（25℃），7.5A（100℃）
E3M0065090D：35A（25℃），23A（100℃）
E3M0120090D：23A（25℃），15A（100℃）
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型号- NRVUS1MFA,FFSP1065B−F085,NVHL160N120SC1,SZMMSZ20T1G,NRVBA130LT3G,SECO−HVDCDC1362−40W−GEVB,613 008 243 121,NSVBC817−40W,NCV1362,5KP160A,SZ1SMA5931BT3G,NSVBAS21AHT1G,691 351 500 002,SZMMSZ18T1G,NCV1362BA,750319105,691 313 510 002
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型号- SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB,NCV1362,SECO−HVDCDC1362−40W−GEVB
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型号- ACPL-38JT-000E,C2M0040120,ACPL-C87A-500E,CAS300M17BM2,ACPL-C87A,ACPL-C87BT-000E,C2M0080120,ACPL-312T,ACPL-C87X,C2M0025120,ACPL-312T-000E,ACPL-K33T,ACPL-K33T-560E,ACPL-782T,CAS100H12,ACPL-K30T-560E,CAS300M12BM2,ACPL-32JT-500E,CAS300M17,C2M0025120D,ACPL-C797T,ACPL-K34T-000E,C2M0040120D,CAS300M12,ACPL-344JT-500E,ACPL-782T-000E,ACPL-31JT,ACPL-K30T,ACPL-31JT-000E,ACPL-344JT,ACPL-K34T,ACPL-32JT,C2M0080120D,ACPL-38JT,ACPL-C797T-000E,CAS100H120AM1,ACPL-C87BT
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Wolfspeed SiC Power Products Introducing Wolfspeed’s new E-Series™ SiC MOSFETs and Diodes 快速参考指南
描述- Wolfspeed推出新一代E-Series™碳化硅（SiC）MOSFET和二极管，适用于电动汽车（EV）和可再生能源市场。这些器件提供最高功率密度和耐用性，适用于车载动力转换系统、外部充电、太阳能逆变器等应用。E-Series是首个获得AEC-Q101认证和PPAP能力的SiC MOSFET和二极管系列。产品包括多种MOSFET和二极管型号，适用于不同的电压和电流等级，以及各种封装形式。此外，Wolfspeed还提供标准功率模块、门驱动板和参考设计，以支持客户的设计需求。
型号- C4D40120D,CPM2-1200-0080B,CPM2-1200-0040B,E4D05120A,CPW3-1700-S025B,C2M0280120D,C3D10170H,C3D03065E,CRD-001,E4D15120A,EPW4-1200-S015A,CPM3-0900-0065B,CPW2-0650-S016B,C3D02060A,CRD-06AD09N,CRD-5FF0912P,CRD15DD17P,CRD-50DD12N-2,CCS020M12CM2,CSD01060A,C3M0065100J,C3M0065100K,C4D08120A,C3D08065A,C3M0120090D,CPM2-1200-0025B,C4D08120E,C3D08065E,CPW4-1200-S002B,C3D25170H,CSD01060E,CPW5-0650-Z030B,C4D30120D,C3D20060D,C3M0120090J,C3D08065I,CGD15FB45P1,EPW4-1200-S020A,C2M0160120D,C3D02060E,C3D02060F,CPM2-1700-0045B,C4D10120D,C4D10120A,C4D02120E,CPM3-1000-0065B,C3D04060A,C4D02120A,C2M0045170P,C4D10120H,C4D10120E,CPW3-1700-S010B,CRD-200DA09E,C3D16065A,CPW3-0650-S004B,CPW5-1700-Z050B,C3D1P7060Q,C3D16065D,CPW3-0600-S004B,C3D04060E,EPW4-1200-S005A,C3D04060F,E4D20120A,CPW2-0650-S006B,CPW3-0600-S002B,CPW2-0650-S010B,CPM2-1200-0160B,CRD-50DD12N,C3D10060A,C2M0045170D,C3D06060F,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,CRD-8DD12P,CRD-200DA12E,EPW4-1200-S010A,C2D05120A,CPW4-1200-S008B,CPW3-0600-S003B,CPM3-0900-0030A,CGD15HB62LP,C3D02065E,C3D10065A,C4D15120D,E3M0280090D,C3M0065090J,C4D15120A,C3M0065090D,CPWR-0600-S001B,CPW5-1200-Z050B,C3M0075120K,C3D10065I,C3M0030090K,C3D10065E,CGD15SG00D2,E-SERIES,C3D08060A,CPW2-0600-S010B,C3D08060G,CPW4-1200-S005B,C3M0120100J,C4D15120H,C3D20065D,E-SERIES™,C3M0120100K,E4D08120A,CPW2-0650-S012B,C3D12065A,C3D03060E,C3D30065D,CPW2-1200-S050B,C3D03060F,C3D16060D,CPW2-0600-S006B,CPW2-0650-S008B,CRD-060DD17P-2,EPW4-1200-S008A,CPW4-1200-S010B,C3D03060A,CPW5-0650-Z050B,C2M0080120D,CRD-20AD10N,CAS300M17BM2,C2M1000170D,C3D06065A,E4D10120A,C2M1000170J,C3D06065I,C4D20120H,C3D06065E,CAS325M12HM2,C3M0280090J,CPW4-1200-S015B,CRD-20DD09P-2,C3M0280090D,C4D20120A,C5D50065D,CGD15HB62P1,CVFD20065A,CRD-02AD09N,C4D20120D,C3D04065A,CAS300M12BM2,CCS050M12CM2,CRD-060DD12P,C3D04065E,CPW2-0600-S008B,E3M0120090D,C2M0025120D,C2M0080170P,CPM2-1700-0080B,C2M0040120D,CPW4-1200-S020B,C4D05120A,C4D05120E,E3M0065090D,CPM3-0900-0010A,CAS120M12BM2
SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB 15 W SiC高压辅助电源，用于HEV和BEV应用评估板用户手册
描述- SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB是一款高效、初级侧调节（PSR）辅助电源板，专为混合动力汽车（HEV）和电动汽车（BEV）动力系统设计。该板在250V至900V的宽输入直流电压范围内提供稳定的15V输出和15W功率，适用于400V和800V电池系统。它采用NCV1362准谐振峰值电流PSR|反激控制器、NVHL160N120SC1 160m 1200V碳化硅（SiC）MOSFET和FFSD0665B-F085 SiC二极管。得益于SiC FET的高阻断电压能力和超低栅极电荷（34nC）值，开关损耗显著降低，板在低线输入条件下效率高达86%。NCV1362控制器的出色驱动能力允许SiC FET在12V下直接由IC操作，简化了布局并减少了元件数量。反激变压器提供4kV隔离，并优化以最小化RCD阻尼器的损耗，从而有效地抑制了高线输入时的漏极电压过冲，并为SiC FET提供100V的余量。该板完全采用汽车级半导体和被动元件实现，并提供工业级替代品。
型号- NCP1362,SECO−HVDCDC1362−15W−GEVB,NCV1362,NCV1362BA,NCV1362BADR2G
MOSFET-TO-247-3e系列RoHS符合性声明
描述- Cree公司于2019年12月19日修订的RoHS符合性声明，涵盖自2019年12月19日起由Cree及其子公司制造并出货的MOSFET TO-247-3 E系列元器件。声明指出这些产品符合欧盟RoHS2指令，不含有害物质，并符合IEC卤素免费标准。证书作为产品规格的一部分，仅适用于特定法规和行业标准。
型号- E3M0280090D,E3M0120090D,E3M0065090D,E-SERIES
基于180 kW SiC MOSFET的牵引电机逆变器平台EV-InverterHD情况说明书
描述- NXP、Wolfspeed和Vepco合作开发了一款基于碳化硅（SiC）MOSFET的180 kW功率逆变器平台，旨在展示下一代汽车动力系统的技术优势。该平台适用于电动汽车电机逆变器、高压DC-DC升压电路和高压车载充电器。平台特点包括高效率、高功率密度和功能安全，支持从350 VDC到650 VDC的电池电压和高达450 A的峰值扭矩电流。平台包含NXP的GD31xx隔离SiC MOSFET或IGBT栅极驱动器、MPC5775E高性能ASIL D MCU、FS65坚固的ASIL D SBC等组件，并提供系统级启用软件和功能安全软件。
型号- MPC5775E,GD31XX,TJA1100,FS65,TJA1051T
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加工精度：精密平面磨床正负0.002；铣床正负0.02，ZNC放电正负0.01。CNC加工材料：铝、钢、聚合物等材料。专注于半导体行业、医疗器械、汽车行业、新能源行业、信息技术行业零部件加工。
最小起订量： 1个 提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量： 100000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
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