【产品】低损耗高效率GaN高频增强型功率晶体管，总栅极电荷仅370pC
氮化镓是一种新型的硅替代材料，性能比硅优胜6000多倍，坚固耐用，而且成本更低。宜普电源转换公司（EPC）是氮化镓场效应晶体管的重要生产者和推动者。现介绍其推出的一款基于氮化镓的增强型功率晶体管--EPC8009。
EPC8009 GaN氮化镓增强型功率晶体管的结温范围为-40~150℃，符合汽车级温度范围要求，应用场景广泛。其额定电压为65V，额定电流为2.7A，脉冲电流为7.5A。可广泛应用于无线电源传输、射频包络跟踪等应用。
EPC8009的导通电阻典型值为90mΩ（VGS= 5 V， ID= 0.5 A），更易驱动，功耗更低，产热更少。此外，氮化镓功率晶体管的最大优势之一就是能够将导通电阻与栅极电荷总量的矛盾降到最低，即具有很低的FOM值（总栅极电荷仅为370pC）的同时，又将导通电阻控制在极低的范畴。
EPC8009的反向恢复电荷QRR在为0，并且在VGS= 0V、VDS= 32.5V的情况下反向传输电容CRSS仅为0.5pF，输入电容CISS为45pF，良好的反向恢复性能使其具有更低开关损耗以及更高的系统效率。尺寸为2.05mm*0.85mm，更节省板面面积。
图一：产品图片
产品特性：
• VDS=65V
• RDS（on）=90mΩ（VGS = 5 V， ID= 0.5 A）
• IDSS典型值50μA（VGS = 0 V， VDS = 52 V， T = 25℃）
• ID=2.7A（TA= 25℃， θJA= 73）
• CRSS=0.5pF
• CISS=45pF
• 操作温度和存储温度范围：-40°C ~150°C
• QG典型值370pC（VDS= 32.5 V， ID= 1 A）
• 反向恢复电荷为0
图二：25℃时的典型输出特性
典型应用：
• 射频包络跟踪
• 无线电源传输
• 游戏控制台
• 激光雷达
• 超高速DC/DC转换
技术顾问：方枭毅
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