【产品】低损耗高效率GaN高频增强型功率晶体管,总栅极电荷仅370pC
氮化镓是一种新型的硅替代材料,性能比硅优胜6000多倍,坚固耐用,而且成本更低。宜普电源转换公司(EPC)是氮化镓场效应晶体管的重要生产者和推动者。现介绍其推出的一款基于氮化镓的增强型功率晶体管--EPC8009。
EPC8009 GaN氮化镓增强型功率晶体管的结温范围为-40~150℃,符合汽车级温度范围要求,应用场景广泛。其额定电压为65V,额定电流为2.7A,脉冲电流为7.5A。可广泛应用于无线电源传输、射频包络跟踪等应用。
EPC8009的导通电阻典型值为90mΩ(VGS= 5 V, ID= 0.5 A),更易驱动,功耗更低,产热更少。此外,氮化镓功率晶体管的最大优势之一就是能够将导通电阻与栅极电荷总量的矛盾降到最低,即具有很低的FOM值(总栅极电荷仅为370pC)的同时,又将导通电阻控制在极低的范畴。
EPC8009的反向恢复电荷QRR在为0,并且在VGS= 0V、VDS= 32.5V的情况下反向传输电容CRSS仅为0.5pF,输入电容CISS为45pF,良好的反向恢复性能使其具有更低开关损耗以及更高的系统效率。尺寸为2.05mm*0.85mm,更节省板面面积。
图一:产品图片
产品特性:
• VDS=65V
• RDS(on)=90mΩ(VGS = 5 V, ID= 0.5 A)
• IDSS典型值50μA(VGS = 0 V, VDS = 52 V, T = 25℃)
• ID=2.7A(TA= 25℃, θJA= 73)
• CRSS=0.5pF
• CISS=45pF
• 操作温度和存储温度范围:-40°C ~150°C
• QG典型值370pC(VDS= 32.5 V, ID= 1 A)
• 反向恢复电荷为0
图二:25℃时的典型输出特性
典型应用:
• 射频包络跟踪
• 无线电源传输
• 游戏控制台
• 激光雷达
• 超高速DC/DC转换
技术顾问:方枭毅
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大周 Lv5. 技术专家 2018-11-20学习一下
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龙族队长 Lv7. 资深专家 2018-11-17学习
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嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-08-28学习了
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幸福 Lv7. 资深专家 2018-07-24支持
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银辰 Lv3. 高级工程师 2018-03-28低压管啊!
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小倾听 Lv8. 研究员 2018-03-24学习
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用户18396822 Lv8 2018-01-14支持
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大欢哥 Lv7. 资深专家 2017-12-13学习啦
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产品型号
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Configuration
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Max RDS(on) (mΩ)
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Max TJ (°C)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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选型表 - EPC 立即选型
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EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
产品型号
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Status
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VDS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC氮化镓晶体管选型表
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产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
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现货: 2,417
品牌:EPC
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现货: 465
现货市场
服务
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量: 10000 提交需求>
根据用户的蓝牙模块,使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B,测试蓝牙1.0至5.1,包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度,生成测试报告。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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