【产品】低损耗高效率GaN高频增强型功率晶体管,总栅极电荷仅370pC

2017-10-13 EPC(世强编辑整理)
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氮化镓是一种新型的硅替代材料,性能比硅优胜6000多倍,坚固耐用,而且成本更低。宜普电源转换公司(EPC)是氮化镓场效应晶体管的重要生产者和推动者。现介绍其推出的一款基于氮化镓的增强型功率晶体管--EPC8009


EPC8009 GaN氮化镓增强型功率晶体管的结温范围为-40~150℃,符合汽车级温度范围要求,应用场景广泛。其额定电压为65V,额定电流为2.7A,脉冲电流为7.5A。可广泛应用于无线电源传输、射频包络跟踪等应用。


EPC8009的导通电阻典型值为90mΩ(VGS= 5 V, ID= 0.5 A),更易驱动,功耗更低,产热更少。此外,氮化镓功率晶体管的最大优势之一就是能够将导通电阻与栅极电荷总量的矛盾降到最低,即具有很低的FOM值(总栅极电荷仅为370pC)的同时,又将导通电阻控制在极低的范畴。


EPC8009的反向恢复电荷QRR在为0,并且在VGS= 0V、VDS= 32.5V的情况下反向传输电容CRSS仅为0.5pF,输入电容CISS为45pF,良好的反向恢复性能使其具有更低开关损耗以及更高的系统效率。尺寸为2.05mm*0.85mm,更节省板面面积。


图一:产品图片


产品特性:

• VDS=65V

• RDS(on)=90mΩ(VGS = 5 V, ID= 0.5 A)

• IDSS典型值50μA(VGS = 0 V, VDS = 52 V, T = 25℃)

• ID=2.7A(TA= 25℃, θJA= 73)

• CRSS=0.5pF

• CISS=45pF

• 操作温度和存储温度范围:-40°C ~150°C

• QG典型值370pC(VDS= 32.5 V, ID= 1 A)

• 反向恢复电荷为0


图二:25℃时的典型输出特性


典型应用:

• 射频包络跟踪

• 无线电源传输

• 游戏控制台

• 激光雷达

• 超高速DC/DC转换


技术顾问:方枭毅


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  • 大周 Lv5. 技术专家 2018-11-20
    学习一下
  • 龙族队长 Lv7. 资深专家 2018-11-17
    学习
  • 嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-08-28
    学习了
  • 幸福 Lv7. 资深专家 2018-07-24
    支持
  • 银辰 Lv3. 高级工程师 2018-03-28
    低压管啊!
  • 小倾听 Lv8. 研究员 2018-03-24
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  • 用户18396822 Lv8 2018-01-14
    支持
  • 用户62676331 Lv4. 资深工程师 2018-01-09
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  • 三3三 Lv8. 研究员 2018-01-01
    学习了!!
  • 大欢哥 Lv7. 资深专家 2017-12-13
    学习啦
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

选型表  -  EPC 立即选型

【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)

描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。

2017年07月12日  - EPC  - 白皮书 代理服务 技术支持 批量订货
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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥6.0206

现货: 3,132

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

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品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

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品牌:EPC

品类:Mode GaN Power Transistor

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品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥10.5122

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品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.4342

现货: 485

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.9121

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品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.2431

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品牌:扬杰科技

品类:Mosfet

价格:¥1.0500

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品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥0.7000

现货:500,000

品牌:MCC

品类:MOSFET

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品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.2360

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品牌:TOSHIBA

品类:MOSFET

价格:¥0.2034

现货:251,269

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

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品牌:RENESAS

品类:MOSFET

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品牌:MCC

品类:MOSFET管

价格:¥0.3248

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品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.2140

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品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.1700

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笔电热管/高功率热管/平头热管定制

可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。

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蓝牙射频及通信协议测试

根据用户的蓝牙模块,使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B,测试蓝牙1.0至5.1,包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度,生成测试报告。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

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授权代理品牌:接插件及结构件

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授权代理品牌:部件、组件及配件

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授权代理品牌:电子材料

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