瞻芯将赴车规级功率半导体年会分享车用SiC功率器件与芯片技术
为进一步提升电动汽车的动力性能、续航里程和缓解充电焦虑，全球各大车企普遍布局了采用高电压平台（800-1000V）的高性能电动车型，并陆续发布了多款搭载碳化硅（SiC）元器件的新车型，包括近期上市的小鹏G9电动汽车。
为了满足车载应用需求，瞻芯电子已研发量产了一系列按车用标准设计的产品，包括：650V-1200V碳化硅(SiC)MOSFET, 1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)，SiC专用栅极驱动芯片等，其中多款已获车规级(AEC-Q)认证，并批量“上车”应用。
2022年10月27日-28日，瞻芯电子将赴杭州参加CIAS2022车规级功率半导体年会（第4届），并设有现场展台，欢迎业界朋友莅临参观、交流。同时，为支持客户更好地应用碳化硅（SiC）产品，瞻芯电子CTO叶忠博士将与会发表技术报告《车规级SiC功率器件及驱动IC的研发和应用》，分享产品和应用技术，欢迎有需要的客户伙伴，与我们预约时间，围绕有兴趣的话题，在该会场闭门沟通和探讨。报告的提纲如下：
瞻芯电子介绍、产品定位和开发路线图
SiC单管、SiC模块、驱动IC的开发
量产的车载应用实例
SiC在预充电路上的应用
多管并联、多管芯并联的参数筛选
高可靠性附加测试——超越JEDEC测试
关于瞻芯电子
上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港，致力于开发碳化硅（SiC）功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅（SiC）功率模块产品，并围绕碳化硅（SiC）功率半导体应用，为客户提供一站式（Turn-key）芯片解决方案。
车规级SiC功率器件
这是一款1200V 17 mΩ SiC MOSFET裸芯片，专为汽车电子要求而设计的高可靠性、高品质和高性能器件，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，最大漏源电流111A@25℃，适应温度范围是-55℃-175℃，非常适合新能源汽车主电机驱动，能显著提高主驱系统的功率密度，减少磁性组件体积和重量，简化电路设计，从而显著减少系统总成本。该芯片支持双面散热封装，可突破传统单面封装的功率密度极限。
栅极驱动芯片
比邻驱动IVCR1402DPQR：采用紧凑的SOIC-8封装，是一款高速、智能的栅极驱动芯片，仅在8引脚封装上集成负压产生、短路保护、欠压保护和错误汇报等一系列的关键功能，能够高效、安全地驱动SiC MOSFET，并兼容IGBT驱动能力。已获车规级（AEC-Q100）认证，并批量“上车”应用。
比邻驱动IVCR1412SR，采用了极紧凑的SOT23-6封装，且可调开通峰值上拉电流，便于优化SiC MOSFET开通速度。因无需栅极电阻，又能贴近功率管安装，可将驱动环路杂散电感最小化，动态均流效果提升明显。同时内部集成了负偏压关断，支持主动米勒效应抑制功能，能提供可靠的SiC MOSFET关断。
IVCO1A0X ：这是一个系列的10A单通道隔离式栅极驱动芯片，具有3.75kVrms隔离度，能够安全、有效地驱动SiC/Si MOSFET 和Si IGBT。它具备低传播延迟和紧凑的SOIC-8封装，能让MOSFET以数百kHz频率开关操作。
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描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司，2017 年成立于上海临港，致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品，围绕 SiC 应用，为客户提供一站式芯片解决方案。
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
|
Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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【IC】瞻芯电子新开发紧凑、智能的比邻驱动™（Nextdrive®）SiC专用驱动，支持多领域高效应用（上）
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【IC】瞻芯电子新开发紧凑、智能的比邻驱动™（Nextdrive®）SiC专用驱动，支持多领域高效应用（下）
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现货市场
服务
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实验室地址： 西安 提交需求>
可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
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