【产品】0~5GHz需要外部匹配的25W以上的大功率晶体管

时间： 2017-10-13 来源：UMS（世强编辑整理）

技术问答

全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商UMS于近期推出了一款输出功率25W以上的大功率晶体管--CHK025A-SOA，该产品具有5GHz的大带宽和70%的高效率，是一款性能优良的氮化镓晶体管，非常适用于雷达和通信系统，可以为各种射频功率应用提供通用的解决方案。

CHK025A-SOA具有脉冲和CW两种工作模式，作为功率晶体管，不仅具有输出功率25W以上的大功率，还具有70%的高效率，最大程度地实现了信号的传输和转换，也间接提高了应用系统的效率。该产品具有5GHz的大带宽和17dB的小信号增益，饱和输出功率达38W，实现了大带宽内对小信号的放大，有效抑制了干扰信号的影响，保证传输质量。CHK025A-SOA的最大功率工作时效率PAE为60%，而最大PAE时的增益为13dB。

在结构和封装方面，CHK025A-SOA采用UMS先进的GaN HEMT工艺制造，栅极长度0.5μm ，采用陶瓷-金属法兰的封装形式，这种封装可以有效减少热阻和寄生效应，对于提高功率晶体管的最大功率和效率有着至关重要的作用。

图1：CHK025A-SOA实物图

根据芯片资料输入和输出阻抗都不是50欧姆（如下图），所以使用该芯片时需要自己添加匹配电路。

CHK025A-SOA的产品特性：

• 接点温度：230℃，贮存温度：-55℃~150℃

• 带宽：up to 5GHz

• 高功率：＞25W

• 直流偏压：V_DS=50V@I_{D_Q}=200mA

• MTTF＞10⁶小时@T_j=200℃

• 小信号增益：16dB（CW模式），17dB（脉冲模式）

• 饱和输出功率：35W（CW模式），38W（脉冲模式）

• PAE：55%（CW模式），60%（脉冲模式）

• G_{PAE_MAX}：12dB（CW模式），13dB（脉冲模式）

• RoHS陶瓷法兰封装

• ESD-HBM：Class 1B（500V）

• ESD-MM：B级（350V）

技术顾问：搬砖的奶爸

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