英诺赛科双向导通氮化镓芯片VGaN系列助力真我手机实现全链路氮化镓，体积更小、散热更快

时间： 2023-06-10 来源：充电头网

技术问答

2023年5月10日，号称“2000元档质价比之王”的真我11 Pro+震撼发布。作为2023年“无越级不发布”的第三款产品，真我11系列以影像为全新越级点，推出2亿单镜变焦相机，同时在外观构造、屏幕设计、充电续航等方面也进行了全面升级，是同价位段当之无愧的质价比之王。

在充电续航方面，真我11 Pro+搭载了用100W+5000mAh闪充长续航组合，实测5分钟充30%，25分钟充100%，日常基本无续航焦虑。

值得一提的是，真我11 Pro+实现了从适配器到手机端全链路氮化镓，手机内置40V氮化镓芯片(英诺赛科 VGaN)，仅用一颗就能替代原本两颗背靠背的Si MOS ，充电更快的同时体积更小，散热更快，也是目前这个价位段首个全链路GaN百瓦闪充。

充电头网从英诺赛科官方渠道了解到，英诺赛科双向导通氮化镓芯片VGaN系列，具备无体二极管、低导通阻抗等特性，能够实现以一(V-GaN)替二(硅MOSFET)，有效节省手机PCBA空间，并使手机充电过程中的核心部件发热降低85%，为用户带来更好的快充体验。

据悉，英诺赛科的VGaN已在realme GT2，OPPO reno7 pro，一加Ace2等系列手机中被采用，实现了全链路GaN快充。

目前，大部分厂家还只是专注于快充链路上的某一个领域，只有极少数公司才有能力去做手机快充全链路上的完整方案，英诺赛科便是这条道路的开拓先锋。如今氮化镓在消费类快充领域已迈入加速期，英诺赛科发布全新的VGaN产品，深入布局手机快充领域，意在推动全链路氮化镓快充的全面普及。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由拾一转载自充电头网，原文标题为:质价比之王，真我 11pro+震撼发布！内置英诺赛科VGaN实现全链路氮化镓，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

英诺赛科氮化镓芯片进入安克、倍思、联想、摩托罗拉、OPPO等一线供应链，出货超1.7亿颗

英诺赛科高频高效的氮化镓芯片可以帮助客户设计更高功率密度的电源解决方案，其产品已被三星，OPPO，VIVO，华硕，努比亚，绿联，多家知名品牌和厂商所采用，今年年初与VGaN系列产品，以创新的方式将氮化镓芯片内置于手机，实现手机全链路氮化镓快充。

原厂动态发布时间 : 2023-06-20

英诺赛科VGaN在多款品牌手机中得到应用，实现体积减少60~70%，峰值功率发热降低至少85%的优越表现

英诺赛科VGaN已相继在OPPO Reno7、Realme GT2、一加Ace2、摩托罗拉Edge40等多款品牌手机中得到应用，实现了体积减少60~70%，峰值功率发热降低至少85%的优越表现。

原厂动态发布时间 : 2023-07-17

出货量已超过1.2亿颗，英诺赛科推出VGaN双向导通系列、SolidGaN合封系列等多款氮化镓芯片

英诺赛科是全球领先的8英寸硅基氮化镓 IDM 企业，拥有世界上最大的氮化镓生产基地，先进的研发与制造能力，配套全自动生产线与全流程质量管控体系。2022年，英诺赛科全面增加研发投入，打造了40V、100V及150V工艺平台，推出了多系列创新型产品，并成功量产，在终端应用中表现出色。当前英诺赛科出货量已经超过1.2亿颗。

原厂动态发布时间 : 2023-03-30

英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A

选型指南 - 英诺赛科 - 2022/11/15 PDF 中文下载

英诺赛科双向导通氮化镓芯片INN040W048A，荣获第十七届“中国芯”优秀技术创新产品奖

英诺赛科作为全球领先的硅基氮化镓IDM企业，拥有全球最大的氮化镓晶圆生产与制造基地，已向市场交付超1亿颗高压和低压氮化镓芯片。凭借卓越的产品性能及市场表现，英诺赛科INN040W048A功率芯片被评为第十七届“中国芯”优秀技术创新产品。

原厂动态发布时间 : 2023-01-10

【应用】英诺赛科氮化镓芯片助力联想摩托罗拉手机标配快充，具备支持超高开关频率、无反向恢复电荷等特性

联想Moto多款手机的标配充电器均采用英诺赛科氮化镓芯片。英诺赛科始终与联想品牌保持着紧密的友好合作关系，并以手机和快充为起点，逐步拓展其他领域的应用，共同致力于为用户打造更加高效便捷的生活体验。

应用方案发布时间 : 2023-06-29

INN040W048A 40V BiGaN Enhancement-mode FET Datasheet

型号- INN040W048A

数据手册 - 英诺赛科 - Rev. 1.1 - 2022/06/30 PDF 英文下载

用氮化镓打造绿色高效新世界——英诺赛科携氮化镓新品及创新方案亮相Electronica 2022

英诺赛科拥有领先于全球的8英寸硅基氮化镓产能，始终致力于用氮化镓打造绿色高效新世界。在本次Electronica 2022展会现场，英诺赛科也从器件、应用方案及终端产品三个方面全面展示了氮化镓的最新技术及其在市场上的进展，吸引大量关注。

原厂动态发布时间 : 2022-12-10

英诺赛科VGaN双向导通氮化镓芯片（40V/4.8mΩ），助力Edge 40首创全链路GaN，实现快充自由

摩托罗拉Edge 40手机内部采用的英诺赛科 VGaN 双向导通氮化镓芯片（40V/4.8mΩ），其具备无体二极管、低导通阻抗等特性，到目前为止是全球唯一内置到手机主板，并实现终端量产的氮化镓芯片。其原理是利用一颗VGaN 代替传统手机内部的两颗背靠背Si MOS，实现了更低导通损耗的手机电池充、放电功能，保证手机在充电过程中更高效，更安全。

原厂动态发布时间 : 2023-06-20

【元件】英诺赛科发布两款新品双向导通芯片INN040W080A/120A，支持双向导通，尺寸1.7mmx1.7mm

英诺赛科INN040W080A、INN040W120A延续 InnoGaN导通电阻低、封装寄生参数小、开关速度快、无反向恢复等诸多特性，在高压侧负载开关，智能手机USB/无线充电端口内置OVP保护，多电源系统中的开关电路等场景中，能更好地体现低阻抗、高效率与高功率密度三大优势。

新产品发布时间 : 2023-03-25

英诺赛科持续推出高压和低压GaN功率器件，氮化镓场效应管等产品高频高效助力绿色能源革命

2022年，在全球“双碳”战略的推动下，第三代半导体GaN也在应用市场中展露锋芒，基于其高频、高效、低能耗的优势，终端应用厂商对GaN的需求也迎来了持续攀升。英诺赛科作为全球领先的第三代半导体GaN IDM企业，一直致力于GaN功率器件性能及应用领域的突破，于2022年陆续推出了高压、低压等全电压领域产品。

原厂动态发布时间 : 2022-12-24