英诺赛科双向导通氮化镓芯片VGaN系列助力真我手机实现全链路氮化镓，体积更小、散热更快
2023年5月10日，号称“2000元档质价比之王”的真我11 Pro+震撼发布。作为2023年“无越级不发布”的第三款产品，真我11系列以影像为全新越级点，推出2亿单镜变焦相机，同时在外观构造、屏幕设计、充电续航等方面也进行了全面升级，是同价位段当之无愧的质价比之王。
在充电续航方面，真我11 Pro+搭载了用100W+5000mAh闪充长续航组合，实测5分钟充30%，25分钟充100%，日常基本无续航焦虑。
值得一提的是，真我11 Pro+实现了从适配器到手机端全链路氮化镓，手机内置40V氮化镓芯片(英诺赛科VGaN)，仅用一颗就能替代原本两颗背靠背的Si MOS ，充电更快的同时体积更小，散热更快，也是目前这个价位段首个全链路GaN百瓦闪充。
充电头网从英诺赛科官方渠道了解到，英诺赛科双向导通氮化镓芯片VGaN系列，具备无体二极管、低导通阻抗等特性，能够实现以一(V-GaN)替二(硅MOSFET)，有效节省手机PCBA空间，并使手机充电过程中的核心部件发热降低85%，为用户带来更好的快充体验。
据悉，英诺赛科的VGaN已在realme GT2，OPPO reno7 pro，一加Ace2等系列手机中被采用，实现了全链路GaN快充。
目前，大部分厂家还只是专注于快充链路上的某一个领域，只有极少数公司才有能力去做手机快充全链路上的完整方案，英诺赛科便是这条道路的开拓先锋。如今氮化镓在消费类快充领域已迈入加速期，英诺赛科发布全新的VGaN产品，深入布局手机快充领域，意在推动全链路氮化镓快充的全面普及。
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