【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET SW120R45VT，基于SAMWIN技术生产，导通电阻低
SW120R45VT是芯派科技推出的一款采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件基于先进的SAMWIN技术生产，具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
特点：
高强度
低RDS(ON)：
12mΩ（典型值)@VGS=4.5V
10.5mΩ（典型值)@VGS=10V
低栅极电荷（典型值45nC）
改进的dv/dt能力
100%雪崩测试
应用：
DC-DC转换器
电机控制
同步整流
绝对最大额定值参数
*.漏极电流受结温限制
电气参数(TJ=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.L=2.63mH，IAS=10.5A，VDD=50V，RG=25Ω，起始Tj=25℃
3.ISD≤11A，di/dt=100A/μs，VDD≤BVDSS，起始Tj=25℃
4.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
5.基本上与工作温度无关
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky翻译自芯派科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】锐骏半导体推出N沟道增强型功率MOSFET RUH3051M，漏-源导通电阻典型值可低至4.2mΩ
RUH4040M3是锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术，提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)，可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-12-24
【产品】100V/80A的N沟道增强型功率MOSFET BLP038N10GL，采用先进的双沟槽技术，具有快速开关等特性
BLP038N10GL是上海贝岭推出的一款基于先进的双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5X6封装，降低了导通损耗，提升了开关性能，提高了雪崩能量，适用于同步整流和高速开关应用。
产品 发布时间 : 2023-05-20
【产品】30V/16A的N沟道增强型功率MOSFET SW055R03VLT，具有低导通电阻、低栅极电荷等特性
SW055R03VLT是芯派科技推出的一款基于先进的SAMWIN技术生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8封装，得益于该技术，器件具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
产品 发布时间 : 2023-05-10
【产品】用于DC/DC同步整流的双N沟道增强型功率MOSFET FS8205A，漏-源导通电阻典型值低至19.5mΩ
台舟电子推出了双N沟道增强型功率MOSFET FS8205A。该产品采用了沟槽式功率技术，低导通电阻、低栅极电荷等特点。主要应用于DC/DC和AC/DC转换器的同步整流，以及电信和工业中的隔离式DC/DC转换器。
产品 发布时间 : 2022-11-12
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论