【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET SW120R45VT,基于SAMWIN技术生产,导通电阻低
SW120R45VT是芯派科技推出的一款采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件基于先进的SAMWIN技术生产,具有更好的特性,包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
特点:
高强度
低RDS(ON):
12mΩ(典型值)@VGS=4.5V
10.5mΩ(典型值)@VGS=10V
低栅极电荷(典型值45nC)
改进的dv/dt能力
100%雪崩测试
应用:
DC-DC转换器
电机控制
同步整流
绝对最大额定值参数
*.漏极电流受结温限制
电气参数(TJ=25℃,除非特别说明)
注:
1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制
2.L=2.63mH,IAS=10.5A,VDD=50V,RG=25Ω,起始Tj=25℃
3.ISD≤11A,di/dt=100A/μs,VDD≤BVDSS,起始Tj=25℃
4.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
5.基本上与工作温度无关
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现货: 5,000
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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