【产品】电流模式PWM控制芯片RM6312DA，内置650V高压功率管，开关频率65kHz

时间： 2023-05-02 来源：亚成微电子

技术问答

亚成微电子推出的RM6312DA是一颗电流模式PWM控制芯片，使用DIP-8无铅封装，内置高压功率MOSFET，用于功率在15W以内的方案。内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（OVP），VDD过压箝位，欠压保护（UVLO）等，采用抖频技术更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。系统的跳频频率设置在音频(20KHz)以上，工作时可以避免系统产生噪音。

电路内部结构框图

特点：

 符合6级能效标准，在通用交流输入时待机功率<75mW

 内置650V高压功率管

 4ms软启动用来减少MOSFET上Vds的应力

 抖频功能，改善EMI性能

 跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗

 无噪声工作

 固定65kHz开关频率

 内置同步斜坡补偿

 低启动电流，低工作电流

 内置前沿消隐(LEB)功能

 保护功能：

欠压保护（UVLO）

过热保护（OTP）

逐周期限流保护（OCP）

过载保护（OLP）

过压保护（OVP）

应用领域

 AC/DC电源适配器

极限参数

脚位功能说明

电气特性参数（Ta=25℃，VDD=16V，除非特别注明）

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