【产品】 GaN增强型大功率晶体管助力高功率密度电源转换
氮化镓是一种新型的硅替代材料,性能比硅优胜6000多倍,坚固耐用,而且成本更低。宜普电源转换公司(EPC)是氮化镓场效应晶体管的重要生产者和推动者。现介绍其推出的一款基于氮化镓的增强型功率晶体管--EPC2106。
EPC2106是EPC公司推出的半桥增强型GaN功率晶体管,由Q1、Q2两个MOS管构成,尺寸为1.35 mm x 1.35 mm, 更小的板载面积可以为电源转换带来更高的功率密度。
EPC2106额定电压为100V。额定电流1.7A(TA=25℃,RθJA=320℃/W),最大脉冲电流为18A(TA=25℃, TPULSE=300μs),可用于高频直流-直流电源转换器等应用。
导通电阻最大值RDS(on)为70 mΩ,典型值为55mΩ,导通损耗极低,可负载高电流的同时降低器件热功率。QRR反向恢复电荷值为0,没有电荷储存效应,使得此晶体管传导损耗极低,响应快。另外,栅极电荷总量典型值仅0.74nC,因此该产品有着极低的开关损耗。
EPC2106典型应用如图一所示:
图一:典型应用
EPC2106的Q1,Q2晶体管的最大输入电容CISS的典型值为79pF(VDS= 50 V, VGS= 0V),反向传输电容典型值为0.5pF,带来了超低的开关延迟,门槛电压为0.8V。
EPC2106尺寸仅为1.35mm x 1.35mm,可在-40to150°C(汽车级)宽温度范围下工作,实现了更高功率密度的电源转换。也可应用于D类音频放大器等场合。
图二:产品图片
产品特性:
• 额定电压:100V
• 额定电流:1.7A(TA=25℃,RθJA=320℃/W)
• 额定脉冲电流:18A(TA=25℃, TPULSE =300μs)
• 导通电阻最大值:70mΩ
• 符合RoHS6/6、无卤素
• 极小尺寸封装1.35 mm x 1.35 mm
• 低电感封装
图三:25℃时的典型输出特性
应用领域
• 高频DC-DC电源转换
• D类音频放大器
技术顾问:方枭毅
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helen2018 Lv6. 高级专家 2018-12-03学习
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NONO Lv7. 资深专家 2018-12-01学习一下
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Yangwang Lv7. 资深专家 2018-11-29不错
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YHLOVER Lv3. 高级工程师 2018-11-26GAN应用领域由以前的军工到电力电子工业应用还需要大力的推广,不久的将来可能会大批量应用
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yingqiming Lv7. 资深专家 2018-11-26不错
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用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-11-19不错
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用户18396822 Lv8 2018-01-01赞一个
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Clarence Lv8. 研究员 2017-12-09收藏了
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陆二舒 Lv5. 技术专家 2017-10-24好!开发新产品就这里选型。这次长知识了。
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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67
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20
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3.4
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
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型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)
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EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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86
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20
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3.4
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?
EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥4.3005
现货: 0
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.9251
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价格:¥10.5122
现货: 1,620
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.4342
现货: 485
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.9121
现货: 465
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
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