【产品】 GaN增强型大功率晶体管助力高功率密度电源转换
氮化镓是一种新型的硅替代材料，性能比硅优胜6000多倍，坚固耐用，而且成本更低。宜普电源转换公司（EPC）是氮化镓场效应晶体管的重要生产者和推动者。现介绍其推出的一款基于氮化镓的增强型功率晶体管--EPC2106。
EPC2106是EPC公司推出的半桥增强型GaN功率晶体管，由Q1、Q2两个MOS管构成，尺寸为1.35 mm x 1.35 mm， 更小的板载面积可以为电源转换带来更高的功率密度。
EPC2106额定电压为100V。额定电流1.7A（TA=25℃，RθJA=320℃/W），最大脉冲电流为18A（TA=25℃， TPULSE=300μs），可用于高频直流-直流电源转换器等应用。
导通电阻最大值RDS（on）为70 mΩ，典型值为55mΩ，导通损耗极低，可负载高电流的同时降低器件热功率。QRR反向恢复电荷值为0，没有电荷储存效应，使得此晶体管传导损耗极低，响应快。另外，栅极电荷总量典型值仅0.74nC，因此该产品有着极低的开关损耗。
EPC2106典型应用如图一所示：
图一：典型应用
EPC2106的Q1，Q2晶体管的最大输入电容CISS的典型值为79pF（VDS= 50 V， VGS= 0V），反向传输电容典型值为0.5pF，带来了超低的开关延迟，门槛电压为0.8V。
EPC2106尺寸仅为1.35mm x 1.35mm，可在-40to150°C（汽车级）宽温度范围下工作，实现了更高功率密度的电源转换。也可应用于D类音频放大器等场合。
图二：产品图片
产品特性：
• 额定电压：100V
• 额定电流：1.7A（TA=25℃，RθJA=320℃/W）
• 额定脉冲电流：18A（TA=25℃， TPULSE =300μs）
• 导通电阻最大值：70mΩ
• 符合RoHS6/6、无卤素
• 极小尺寸封装1.35 mm x 1.35 mm
• 低电感封装
图三：25℃时的典型输出特性
应用领域
• 高频DC-DC电源转换
• D类音频放大器
技术顾问：方枭毅
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helen2018 Lv6. 高级专家 2018-12-03学习 -
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NONO Lv7. 资深专家 2018-12-01学习一下 -
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Yangwang Lv7. 资深专家 2018-11-29不错 -
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YHLOVER Lv3. 高级工程师 2018-11-26GAN应用领域由以前的军工到电力电子工业应用还需要大力的推广，不久的将来可能会大批量应用 -
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用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-11-19不错 -
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用户18396822 Lv8 2018-01-01赞一个 -
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Clarence Lv8. 研究员 2017-12-09收藏了 -
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陆二舒 Lv5. 技术专家 2017-10-24好！开发新产品就这里选型。这次长知识了。
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
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EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
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产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC氮化镓晶体管选型表
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
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产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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20
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3.4
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
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授权代理品牌：集成电路
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授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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