【产品】连续漏极电流55A的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A030065K，导通电阻典型值30mΩ
中电国基南方（CETC）推出WM2A030065K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流为55A（Tc=25℃），RDS(on)的典型值为30mΩ。适用于UPS、太阳能光伏逆变器、电动汽车充电、DC/DC转换器等领域。
特点：
第二代碳化硅MOSFET技术
高阻断电压，低导通电阻
低电容高速开关
具有低反向恢复电荷（Qrr）的快速本征二极管
优点：
系统效率更高
散热要求降低
功率密度增加
系统开关频率提高
易于并联，驱动简单
使图腾柱PFC技术可行
应用：
电动汽车充电
服务器电源
太阳能光伏逆变器
UPS
DC/DC转换器
最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
电气特性（TC=25℃，除非另有规定）
反向二极管特性
热特性
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