【应用】深鸿盛MOS管Trr值和Qrr值满足转速、温度等高要求条件,可广泛应用于高速吹风机市场
近年来伴随居民消费实力和意愿的提升,消费者对产品品质和功能的需求日益增加。我国家用电吹风行业运行目前发展形势良好,该行业正逐步向产业化发展,生产的产品品质具备国际市场竞争力。发展趋势是颜值高、体验好、噪声低、使用便捷、性价比高。主要品牌有徕芬、戴森、松下等。
高速吹风机的应用及优点
高速吹风机的高转速,主要来自直流三相无刷电机,利用其结构简单、可靠性高、调速性能好、寿命长、无换向火花、输出转矩大、体积小、重量轻的优点,与吹风机进行结合。
传统的吹风机是利用高温去烘干头发为主,过高的温度会让发质受损,而高速吹风机带有温控芯片,使其最高温度不会超过57度,并且有些高速吹风机还支持护发精油、负离子等护发功能,能更好的保护头发。
优点:噪声低、风量大、护发效果好、干燥时间短
高速吹风机的PCBA
测试数据
在高速风机市场的应用上,尤其是对转速、温度等要求较高的条件下,对于MOS管的参数Trr值和Qrr值都有一定的特殊要求。综合以下数据对比,深鸿盛MOS管型号的Trr值和Qrr值在行业中处于领先地位,拥有近乎完美的表现和性价比。
HI-SEMICON产品选型表
深鸿盛已大规模量产±30V、±40V、±60V、±100V系列产品,如有需求,我们可以提供样品Rdson低至0.9mΩ,广泛应用于电动工具市场。未来,深鸿盛还会继续投入研发创新,打造高效率、低损耗、高可靠性的产品。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由ll转载自HI-SEMICON公众号,原文标题为:HI-SEMICON MOSFET 在高速吹风机的应用,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
HI-SEMICON MOSFET用于提高PC电源效率,更快开关速度、更低导通损耗、极低栅极电荷
HI-SEMICON MOSFET在PC电源市场应用,具备更快的开关速度,更低的导通损耗,还拥有极低的栅极电荷(Qg)。意味着公司的产品能在保障稳定性能的同时,显著降低器件的功率损耗,从而提高整个系统的效率。
HI-SEMICON MOSFET在无人机上的应用
无人机应用场景日益完善。无人机产品具有使用成本低、地勤保障要求低、 机动性强、安全性高、提供信息更加及时等优势,相比于传统作业方式,工业无人机更能胜任复杂环境下的作业任务。本文介绍了HI-SEMICON MOSFET在无人机上的应用。
集成快恢复二极管的扩铂工艺VDMOS,可用于高速电吹风筒
高速吹风机它具备智能温控,内置NTC感温芯片,使其最高温度不会超过57度,并且有些高速吹风机还支持护发精油、负离子等护发功能,能够更好的保护头发。其次高速吹风机它的重量轻,相比传统吹风机,高速吹风机平衡精度高,实现了电机工作时的低振动,所以整机的体积更小,重量也更轻,更加便于携带。本文推荐了深鸿盛的集成快恢复二极管的扩铂工艺VDMOS,介绍了其产品优势。
SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的区别
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势如:低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本文介绍SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的的区别。
HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
HI-SEMICON - MOSFET,SIC场效应晶体管,TRENCH-MOS,MEDIUM AND LOW VOLTAGE SGT MOS,PLANAR LOW-VOLTAGE MOSFET,沟槽超结高压MOSFET,PLANAR HIGH-VOLTAGE&LOW-VOLTAGE MOSFET,SINGLE-P MOSFET,超快恢复流二极管,SINGLE-N MOSFET,MULTI-LAYER EPITAXIAL SUPERJUNCTION MOS,碳化硅肖特基二极管,中低压MOSFET,SGT-MOS,单芯片低压MOSFET,SIC MOSFET,MEDPMOS,碳化硅MOS,分立SIC-MOSFET,双芯片低压MOSFET,COOL MOSFET,多层外延超结高压MOSFET,分离栅沟槽低压MOSFET,N+N MOSFET,分立SIC MOSFET,单N MOSFET,N+P MOSFET,ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE,快恢复二极管,TDP MOS,SJ-MOSFET,沟槽-MOS,DISCRETE SIC-MOSFETS,单P MOSFET,FRED,SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE,超结MOSFET,VDMOS,中低压SGT MOS,NORMAL TRENCH LOW-VOLTAGE MOSFET,多层外延超结MOS,冷MOSFET,COOL-MOS,超快恢复整流二极管,碳化硅肖特基二极,平面高压和低压MOSFET,PLANAR HIGH-VOLTAGE MOSFET,DISCRETE SIC MOSFETS,普通沟槽式低压MOSFET,P+P MOSFET,SPLIT GATE TRENCH LOW-VOLTAGE MOSFET,SIC SCHOTTKY DIODES,MULTILAYER EPITAXIAL SUPER JUNCTION HIGH-VOLTAGE MOSFET,TRENCH SUPER JUNCTION HIGH-VOLTAGE MOSFET,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T,储能逆变,电动工具,通讯电源,厨余家电,智能电网充电站,适配器,新能源BMS,电子调速器,COMMUNICATION POWER SUPPLY,光伏储能,INDUSTRIAL POWER SUPPLY,PC电源,POWER SUPPLY,服务器电源,高频开关通信电源系统,电力专用UPS,无人机,MOTOR DRIVE,电动车控制器,PC POWER,LED LIGHTING,NEW ENERGY BMS,家电,高频逆变器,GZDW高频开关直流电源系统,CHARGING PILE,开关电源,HIGH FREQUENCY INVERTER,ELECTRIC VEHICLE CONTROLLER,POWER TOOLS,PD POWER SUPPLY,大功率电源,TV电源,逆变电源,UPS POWER SUPPLY,电动机驱动,FA驱动设备电源供应,智能低压交流电源系统,PD电源,铁路,LED驱动,电机驱动,电力专用不间断电源系统,充电桩,微型逆变器,新能源汽车,LED,便携式绝缘监测综合测试仪,PHOTOVOLTAIC INVERTER,穿戴设备,LED照明,UPS电源,电源维护类装置,工业电源,发光二极管,电源,通信电源,轨道交通,光伏逆变器
【经验】超级结MOSFET在电源上的应用优点及问题
COOLMOS的前世今生COOLMOS也就是super junction MOS由于大家习惯沿用了英飞凌的叫法,所以一直叫COOLMOS,也叫超结MOS。COLLMOS在电源上应用的优点有通态阻抗小,通态损耗小、同等功率规格下封装小,有利于功率密度的提高、棚电荷小,对电路的驱动能力要求降低、节电容小,开关速度加快,开关损耗小。
【技术】MOSFET规格书参数详解
极限参数HI-SEMICON极限参数也叫绝对最大额定参数,MOS管在使用过程当中,任何情况下都不能超过下图的这些极限参数,否则MOS管有可能损坏。本文对MOSFET规格书参数进行详细讲解。
HI-SEMICON(深鸿盛)场效应管(MOSFET)选型表
中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs
HI-SEMICON - 超结MOSFETS,中低压功率MOSFETS,高压功率MOSFETS,SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C
HI-SEMICON MOSFET在园林工具上的应用,具有优秀Rdson和EAS性能,较低FOM值
园林工具市场正经历锂电化趋势,其中无刷电机技术受到重视,MOSFET在其中扮演关键角色。深鸿盛电子提供适合园林工具的中低压MOS产品,具有优秀的性能和多种封装选择,满足不同电池供电和电机负载需求。
【技术】解析SiC MOSFET结构及特性
本文中HI-SEMICON将为大家解析SiC MOSFET结构及特性。
SFX6003T 30A,60V N沟道MOSFET
该资料介绍了SFX6003T型N通道MOSFET的特性、规格和应用。它采用先进的沟槽技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于多种应用场景。
HI-SEMICON - N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,SFU6003T,SFD6003T,SFX6003T
SFD4004PT-40A、-40V P沟道MOSFET
SFD4004PT是一款采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用,如PWM应用和电源管理。
HI-SEMICON - P-CHANNEL MOSFET,P通道MOSFET晶体管,SFD4004PT,POWER MANAGEMENT,电源管理
MOSFET的失效机理分析
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。发生雪崩击穿时,会流过大电流,存在MOSFET失效的危险。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。本文介绍失效的机理原因。
全面解析MOSFET产业链
MOSFET是一种广泛应用于模拟电路与数字电路的场效晶体管,用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化,可实现开关和信号放大等功能,具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特性,应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多领域,本文将解析MOSFET产业链。
SFN3005PT-30V,-50A P沟道功率MOSFET
该资料详细介绍了SFN3005PT型P-CHANNEL功率MOSFET的特性和应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低栅极电荷和优秀的RDS(on)特性,适用于多种应用场景。
HI-SEMICON - P-CHANNEL POWER MOSFET,P通道功率MOSFET,SFN3005PT,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS,LED LIGHTING POWER,LED照明电源
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论