【产品】低功耗高效率表面贴装肖特基势垒整流器SS12F~SS120F,反向电压20至200V
高特半导体/高特微电子(GOALTOP)是一家专注于线路保护类器件和绿色能源方案的设计研发、生产及营销与一体的国家高新技术企业,SS12F、SS14F、SS16F、SS18F、SS110F、SS112F、SS115F、SS120F是其推出的八款表面贴装的肖特基势垒整流器,最大可重复峰值反向电压范围为20V~200V,具有功耗低、效率高以及正向浪涌电流大等特点,非常适合在各低电压、高频转换器、续流和极性保护等场合应用。
图1 八款产品的引脚配置、外观封装以及电气符号
SS12F、SS14F、SS16F、SS18F、SS110F、SS112F、SS115F、SS120F八款产品最大差别在于最大可重复峰值反向电压、最大有效值电压以及最大直流阻断电压,其他参数大致相同。最大可重复峰值反向电压VRRM(单位V)分别为20、40、60、80、110、120、150、200,最大平均正向整流电流IF(AV)均为1.0A,具有较低的正向电压降,将有助于提高系统效率。同时,八款产品可承受很高的正向浪涌电流,最高可达40A。八种产品具体参数表详见图2,可清晰看出它们之间的区别。
图2 八种产品具体参数表
SS12F、SS14F、SS16F、SS18F、SS110F、SS112F、SS115F、SS120F八款产品采用SMAF封装,每款产品重量大约为27mg,引脚可焊性符合MIL-STD-750(方法2026)标准。八款产品的工作结温范围均为-55℃~+125℃,储存温度范围均为-55℃~+150℃,宽工作温度可满足绝大多数的应用场合需求。
图3 八款产品封装尺寸
SS12F、SS14F、SS16F、SS18F、SS110F、SS112F、SS115F、SS120F典型特点:
·金属硅结,多数载流子传导
·适合于表面贴装应用
·低功耗,高效率
·可承受正向浪涌电流能力强
·最大可重复峰值反向电压范围为20V~200V
·最大平均正向整流电流1A
SS12F、SS14F、SS16F、SS18F、SS110F、SS112F、SS115F、SS120F典型应用:
·适合在各低电压、高频转换器、续流和极性保护等场合应用
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高特二极管选型表
提供高特 肖特基势垒二极管、普通整流器二极管、快恢复整流二极管、超快恢复整流器、超高效整流二极管、开关二极管,等产品,多工作电压段供选择:40/60/200/400/600/800/1000V;提供贴片和直插封装,极低反向恢复时间:trr<25ns,超低反向漏电流;IR<10uA;
产品型号
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品类
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封装
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IO(A)
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VRRM(V)
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IFSM(A)
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VF(V)
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IF(A)
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IR(μA)
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VR(V)
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1N5819W
|
Schottky Barrier Rectifiers
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SOD-123FL
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1A
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40V
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25A
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0.6V
|
1A
|
1μA
|
40V
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选型表 - 高特 立即选型
高特Schottky Diode选型表
高特提供肖特基二极管、肖特基桥、标准整流二极管、标准整流桥、快速恢复整流二极管、快速恢复整流器桥、高效整流二极管、超快恢复整流二极管选型。肖特基二极管,金属硅结,多数载流子导电,适用于表面安装应用,低功率损耗,高效率,高正向浪涌电流能力,适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。
产品型号
|
品类
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Io(A)
|
VRRM(V)
|
IFSM(A)
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VF(V)
|
VF IF(A)
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IR(mA)
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IR VR(V)
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Trr(ns)
|
Package
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DS12W
|
Schottky Diode
|
1
|
20
|
40
|
0.55
|
1
|
0.3
|
20
|
-
|
SOD-123FL
|
选型表 - 高特 立即选型
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SS32G THRU SS320G Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
型号- SS32G,SS34,SS312G,SS38G,SS315G,SS34AG,SS36G,SS320G,SS310G
SK82CG THRU SK820CG Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
型号- SK88CG,SK815CG,SK84CG,SK86CG,SK812CG,SK82CG,SK820CG,SK810CG
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