【产品】漏源电压100V的N通道高压MOSFET HMN10A07F,适用于继电器和电磁阀驱动等场合
合科泰电子推出的高压MOSFET(N通道)HMN10A07F是高性能低成本d场效应晶体管,适用于继电器和电磁阀驱动、电机控制、 DC-DC转换器和电源管理等应用场合,具有低导通电阻、低阈值、切换速度快和低栅极电压驱动的特点。
特征:
VDS=100V,RDS(ON)=1Ω@VGS=10V,ID=0.64A
低导通电阻和低阈值
切换速度快
低栅极驱动
用于继电器和电磁阀驱动、电机控制应用
用于 DC-DC 转换器和电源管理功能
表面贴装器件
机械数据:
封装:SOT-23
封装材料:模压塑料,UL可燃性认证
防火等级:94V-0
湿气敏感度:J-STD-020 1级标准
重量:0.008克(近似值)
最大额定值(TA = 25°C,除非另有说明)
电气特性(TA=25°C,除非另有说明)
注:
(1)在脉冲条件下测量。宽度=300μs。占空比≤2%
(2)样品测试。
(3)在脉冲发生器上使用50W源阻抗和<5ns上升时间测量的开关时间。
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实验室地址: 西安 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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