国内首家量产六英寸SiC MOS厂家，提供650V~3300V全系列SiC MOS产品

时间： 2021-11-05 来源：世强

代理服务

技术支持

采购服务

与传统的硅器件相比，SiC器件可以承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高。爱仕特专注于第三代半导体SiC MOS芯片设计、功率模块的生产制造。已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOS产品，并建立起车规级的SiC MOS模块工厂。

爱仕特是国内首家量产六英寸SiC MOS的厂家，晶圆流片良率高达91%。其SiC MOS芯片最高耐压3300V，单芯片最大电流可达120A，最低内阻15毫欧，高雪崩耐量，100% UIS测试，并按照AEC-Q101标准测试，满足车规级要求。SiC MOS模块的结温高达175℃，正温度系数，采用氮化铝绝缘基板，有较高的导热性和绝缘性，集成负温度系数传感器，绝缘电压达2.5KV，其中的第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗。

10月12日，爱仕特与世强硬创平台达成合作，授权世强全线代理旗下SiC MOS芯片和SiC MOS模块，相关产品、技术资料已上线平台，更多详情在平台搜索即可获取。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 232
| 转发至：

本文由周云清提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

提交评论

全部评论（232）

鄗立恒 Lv8. 研究员 2022-01-10

学习了
小乐 Lv7. 资深专家 2022-01-04

了解
你好华为 Lv7. 资深专家 2022-01-03

很好的学习平台；
otsuka Lv9. 科学家 2022-01-02

学习了！
mouseck Lv7. 资深专家 2021-12-31

学习

168168 Lv7. 资深专家 2021-12-31

学习
滕123 Lv5. 技术专家 2021-12-31

学习
冬雨 Lv5. 技术专家 2021-12-30

学习了
用户_0410 Lv4. 资深工程师 2021-12-30

学习
a007147 Lv6. 高级专家 2021-12-30

学习了

展开更多评论

爱仕特（AST）SiC碳化硅芯片及模块选型指南

目录- 公司简介和芯片/模块产品规则芯片模块参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍

型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200

2021/11/26 - 爱仕特 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【应用】国产SiC MOS ASC100N1700MT4用于直流充电桩，满足母线电压1000V需求

随着如今电网升级，不少充电桩的母线电压都由800V提升到1000V，本文将为此情况介绍一款国产品牌爱仕特的N沟道SiC MOS：ASC100N1700MT4，提供了优异的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。

2023-03-08 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

ASC30N650MT7 650V N沟道MOSFET

描述- 该资料详细介绍了ASC30N650MT7型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。

型号- ASC30N650MT7

2023/11/29 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

爱仕特专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。公司已申请25项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，可为客户提供整套应用解决方案。

SiC MOS芯片 SiC MOS模块

代理服务线上商城技术资料

爱仕特碳化硅器件助力深圳超充之城建设

不管是超充还是新能源汽车的增加，都需要用碳化硅芯片，整个碳化硅产业将迎来井喷式爆发，近几年将会是爱仕特快速成长的黄金发展时期。随着新能源汽车的销量增长，爱仕特每年的销售额翻番增长，目前还有积累的大量订单待交付。

2024-04-12 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

ASC40N1700MT4 1700V N沟道MOSFET

描述- 该资料详细介绍了ASC40N1700MT4型1700V N-Channel MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该产品采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器等领域。

型号- ASC40N1700MT4

2024/9/10 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

ASC100N1200MT3 1200V N沟道MOSFET

描述- 该资料详细介绍了ASC100N1200MT3型碳化硅（SiC）MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该产品采用新型技术，提供优异的开关性能和可靠性，具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于多种高电压、高功率应用。

型号- ASC100N1200MT3

2023/11/10 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

ASC100N1200MT3 1200V N沟道MOSFET

描述- 该资料介绍了ASC100N1200MT3型碳化硅(SiC) MOSFET的特性及应用。这款MOSFET采用新型技术，提供优异的开关性能和更高的可靠性，具有低导通电阻和小巧芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。系统受益于高效率、更快的工作频率、增加功率密度、减少EMI和减小系统尺寸。

型号- ASC100N1200MT3

2022/2/22 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

ASC100N1200MT3 1200V N沟道MOSFET

描述- 本资料介绍了ASC100N1200MT3型碳化硅(SiC) MOSFET的特性及应用。该MOSFET采用新型技术，提供优异的开关性能和高可靠性，具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，从而实现低电容和栅极电荷。系统效益包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低EMI和减小系统尺寸。

型号- ASC100N1200MT3

2023/7/26 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

创新精进 | 爱仕特荣获融中“集成电路产业创新领军企业”

7月11日，2024融中夏季峰会之融中2024新质生产力创新企业峰会于北京举办，大会发布了「2023-2024年度中国Power50企业榜单」，爱仕特荣获“集成电路产业创新领军企业”称号。未来，爱仕特将坚持以技术创新为引领，持续提供高质量碳化硅功率器件，推动新能源汽车、光伏储能等领域的产业化应用，为碳化硅半导体在“3060双碳”战略重大背景下的规模应用和实践做出更大贡献。

2024-07-18 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务