【产品】采用SOP-8塑封封装的N沟道MOS双场效应管AP9926，可优化电池保护电路
铨力半导体推出的AP9926是一款采用SOP-8塑封封装的N沟道Power Trench MOS双场效应管，也称N沟道MOS双场效应管。
●特征
优化电池保护电路
允许工作电压范围宽: +10VGSS
低栅极电荷
内置双MOSFET
●用途
电池保护，负载开关，电源管理
●内部等效电路
●引脚排列
●极限参数(Ta=25°C)
●电性能参数(Ta=25°C)
●外形尺寸图(单位：MM)
SOP-8
●耐焊接热试验条件
温度：260±5℃
时间：10±1sec
●包装规格
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铨力半导体（All Power）功率MOSFET选型指南
目录- MOS/IGBT
型号- AP2302B,AP9435,APG060N85,AP90N03Q,AP3415E,AP10N10S,AP90N04G,AP2055K,AP4008QD,AP20N06T,AP90N04K,AP150N03Q,APG078N07K,APG011N04G,AP1310K,AP2003,AP150N03G,AP3404S,AP4407C,AP4410,AP4910GD,AP50N04QD,AP80P04K,AP3908QD,AP2N7002,AP30H80Q,AP200N04D,AP2020G,AP9565K,AP3205,AP30H80K,AP30H80G,AP20N100Q,AP8205,AP40P04K,AP4013S,APG080N06G-AU,APG042N01D,AP4008SD,APG180N01GD,AP4407,AP2301B,AP33N10,AP40P05,AP30P06K,AP90N04Q,AP50N06,AP25P30Q,AP1002,AP2333,AP40P04G,AP2335,AP3401S,AP0903Q,AP3010,AP50N04Q,AP30P06G,APG038N01G,APG046N01G,AP0903G,AP50N04K,AP8810,AP2714QD,AP3003,APG068N04G,APC65R360M,AP3400A,AP120N04K,AP2310S,AP55N03K,APG068N04Q,APG078N07,AP30H220G,AP7N10K,AP90P03Q,AP50P20Q,APG024N04G,AP180N03G,AP15N10K,APG077N01G,AP50P20K,APC65R190FM,AP200N04,AP90N03GD,APG035N04Q,AP25P06K,AP2012,AP2714SD,AP30H180K,AP1605,AP90P03K,APG035N04G,AP1606,AP8205A,AP90P03G,APC65R360FM,AP4435,AP40N100KL,AP4438,APG045N85,AP40T120WH,AP1310,AP2N65K,AP60P20Q,AP2716QD,AP60P20K,AP25N06K,AP4688S,APG042N01,APG060N12,AP12N10S,APG013N04G,AP50P03K,AP2317QD,AP30H100KA,AP4812,AP2080Q,APG095N01,AP2080K,AP20P30S,AP2012S,APG095N01K,AP20P30Q,AP2080G,AP60N04G,APG095N01G,APC65R041WMF,AP50N06K,APP50N06,AP040N03G,AP3004S,APG060N85D,AP3020,AP70P03K,AP2716SD,AP3908GD,AP60N04Q,AP6007S,AP4946S,AP40N100K,AP18N20,AP3912GD,AP30H50Q,AP4813K,AP0803QD,AP9926,AP6242,AP3407S,APG070N12G,AP4606B,AP30N03K,AP2022S,AP3100A,AP75N04K,AP80N06T,APG4015G,AP85N04Q,AP2035G,AP6802,AP85N04K,AP6800,AP2318A,APG050N85,APG250N01Q,AP85N04G,AP3416,AP120N03,AP5N20K,AP30H150G,AP2310,AP30H150K,AP6009S,AP2035Q,APG060N12D,APG022N06G,AP2312,AP3402,AP30H60K,AP3400,AP3401,AP2316,AP4616,AP15P03Q,AP3407,AP3404,AP2317,AP4822QD,APG050N85D,APC65R600KM,AP2020K,AP80N04Q,AP30H150KA,AP2045K,AP30H150Q,AP30P06,AP2045G,AP2301,AP0903GD,AP2300,AP68N06G,AP6900,AP2305,AP4847,AP4606,AP4846,AP5N10M,AP4P20,APC60R030WMF,AP9N20K,AP80N04G,AP5N10S,AP2045Q,AP2317SD,AP3910GD,APG082N01,APG011N03G,AP4409S,AP4953,AP2317A,AP30P30S,AP3065SD,AP30P30Q
铨力半导体Trench MOS选型表
铨力半导体提供如下参数的Trench MOS:先进的沟槽技术，出色的RDS(on)和低栅极电荷, VGS (V)跨度达±20，多种封装形式SOT23-3/SOT23-6/SOP-8等
|
产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
FS4842 SOP-8 30V Dual N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor（FS4842 SOP-8 双 N 沟道增强型场效应管）
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS4842型号双N沟道增强型MOS场效应管。资料涵盖了产品的低导通电阻、应用领域、内部结构图、最大额定值、电特性参数以及典型特性曲线等内容。
型号- FS4842
DMN2400UV SOT-563 20V双N沟道增强型ESD MOS场效应晶体管
描述- 该资料介绍了安徽富信半导体科技有限公司生产的DMN2400UV型号双N沟道增强型带静电保护场效应管。产品具有低导通电阻，适用于手持设备、负载开关和网络、笔记本电源管理等应用。
型号- DMN2400UV
FS8822 TSSOP-8 20V Dual N Channel Enhancement with ESD MOS Field Effect Transistor（FS8822 TSSOP-8 双 N 沟道增强型带静电保护场效应管）
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS8822型号双N沟道增强型带静电保护MOS场效应管。产品具有低导通电阻、高耐压等特点，适用于桌面设备、电池电源系统和笔记本电源管理等应用。
型号- FS8822
FS4828 SOP-8 60V 双N沟道增强型场效应管 (FS4828 SOP-8 60V Dual N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor )
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS4828型号双N沟道增强型MOS场效应管。该器件具有低导通电阻，适用于DC/DC转换器、负载开关、电源管理和便携式设备等领域。
型号- FS4828
FS4946 SOP-8 60V 双N沟道增强型场效应管（FS4946 SOP-8 60V Dual N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下的安徽富信半导体科技有限公司生产的FS4946型号双N沟道增强型MOS场效应管。该器件具有低导通电阻，适用于DC/DC转换器、负载开关、电源管理和便携式设备等领域。
型号- FS4946
FSL8810 SOT-23-6L 20V 双N沟道增强型带静电保护场效应管（FSL8810 SOT-23-6L 20V Dual N Channel Enhancement with ESD MOS Field Effect Transistor）
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FSL8810型号双N沟道增强型带静电保护MOS场效应管。产品具有低导通电阻、高耐压等特点，适用于负载开关、电池电源系统和笔记本电源管理等应用。
型号- FSL8810
FS9926 SOP-8 20V 双 N 沟道增强型场效应管(FS9926 SOP-8 20V Dual N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下的安徽富信半导体科技有限公司生产的FS9926型号双N沟道增强型MOS场效应管。资料详细阐述了该产品的低导通电阻、内部结构图、最大额定值、电特性参数以及典型特性曲线。
型号- FS9926
FS4946 SOP-8 60V双N沟道增强型MOS场效应晶体管
描述- 该资料介绍了安徽富信半导体科技有限公司生产的FS4946型号双N沟道增强型MOS场效应管。该器件具有低导通电阻，适用于DC/DC转换器、负载开关、电源管理和便携式设备等领域。
型号- FS4946
FS8810 TSSOP-8 20V双N沟道增强型ESD MOS场效应晶体管
描述- 该资料介绍了安徽富信半导体科技有限公司生产的FS8810型号双N沟道增强型场效应管。产品具有低导通电阻，适用于桌面设备、电池供电系统和笔记本电源管理等应用。
型号- FS8810
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
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