【产品】采用SOP-8塑封封装的N沟道MOS双场效应管AP9926，可优化电池保护电路

时间： 2022-04-19 来源：铨力半导体

技术问答

铨力半导体推出的AP9926是一款采用SOP-8塑封封装的N沟道Power Trench MOS双场效应管，也称N沟道MOS双场效应管。

●特征

优化电池保护电路

允许工作电压范围宽: +10VGSS

低栅极电荷

内置双MOSFET

●用途

电池保护，负载开关，电源管理

●内部等效电路

●引脚排列

●极限参数(Ta=25°C)

●电性能参数(Ta=25°C)

●外形尺寸图(单位：MM)

SOP-8

●耐焊接热试验条件

温度：260±5℃

时间：10±1sec

●包装规格

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本文由放弃是坚强的第一课转载自铨力半导体，原文标题为:AP9926 N沟道MOS场效应管(AP9926 N-Channel Power MOSFET)，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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