【产品】采用SOP-8塑封封装的N沟道MOS双场效应管AP9926，可优化电池保护电路
铨力半导体推出的AP9926是一款采用SOP-8塑封封装的N沟道Power Trench MOS双场效应管，也称N沟道MOS双场效应管。
●特征
优化电池保护电路
允许工作电压范围宽: +10VGSS
低栅极电荷
内置双MOSFET
●用途
电池保护，负载开关，电源管理
●内部等效电路
●引脚排列
●极限参数(Ta=25°C)
●电性能参数(Ta=25°C)
●外形尺寸图(单位：MM)
SOP-8
●耐焊接热试验条件
温度：260±5℃
时间：10±1sec
●包装规格
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铨力半导体（All Power）功率MOSFET选型指南
目录- MOS/IGBT
型号- AP2302B,AP9435,APG060N85,AP90N03Q,AP3415E,AP10N10S,AP90N04G,AP2055K,AP4008QD,AP20N06T,AP90N04K,AP150N03Q,APG078N07K,APG011N04G,AP1310K,AP2003,AP150N03G,AP3404S,AP4407C,AP4410,AP4910GD,AP50N04QD,AP80P04K,AP3908QD,AP2N7002,AP30H80Q,AP200N04D,AP2020G,AP9565K,AP3205,AP30H80K,AP30H80G,AP20N100Q,AP8205,AP40P04K,AP4013S,APG080N06G-AU,APG042N01D,AP4008SD,APG180N01GD,AP4407,AP2301B,AP33N10,AP40P05,AP30P06K,AP90N04Q,AP50N06,AP25P30Q,AP1002,AP2333,AP40P04G,AP2335,AP3401S,AP0903Q,AP3010,AP50N04Q,AP30P06G,APG038N01G,APG046N01G,AP0903G,AP50N04K,AP8810,AP2714QD,AP3003,APG068N04G,APC65R360M,AP3400A,AP120N04K,AP2310S,AP55N03K,APG068N04Q,APG078N07,AP30H220G,AP7N10K,AP90P03Q,AP50P20Q,APG024N04G,AP180N03G,AP15N10K,APG077N01G,AP50P20K,APC65R190FM,AP200N04,AP90N03GD,APG035N04Q,AP25P06K,AP2012,AP2714SD,AP30H180K,AP1605,AP90P03K,APG035N04G,AP1606,AP8205A,AP90P03G,APC65R360FM,AP4435,AP40N100KL,AP4438,APG045N85,AP40T120WH,AP1310,AP2N65K,AP60P20Q,AP2716QD,AP60P20K,AP25N06K,AP4688S,APG042N01,APG060N12,AP12N10S,APG013N04G,AP50P03K,AP2317QD,AP30H100KA,AP4812,AP2080Q,APG095N01,AP2080K,AP20P30S,AP2012S,APG095N01K,AP20P30Q,AP2080G,AP60N04G,APG095N01G,APC65R041WMF,AP50N06K,APP50N06,AP040N03G,AP3004S,APG060N85D,AP3020,AP70P03K,AP2716SD,AP3908GD,AP60N04Q,AP6007S,AP4946S,AP40N100K,AP18N20,AP3912GD,AP30H50Q,AP4813K,AP0803QD,AP9926,AP6242,AP3407S,APG070N12G,AP4606B,AP30N03K,AP2022S,AP3100A,AP75N04K,AP80N06T,APG4015G,AP85N04Q,AP2035G,AP6802,AP85N04K,AP6800,AP2318A,APG050N85,APG250N01Q,AP85N04G,AP3416,AP120N03,AP5N20K,AP30H150G,AP2310,AP30H150K,AP6009S,AP2035Q,APG060N12D,APG022N06G,AP2312,AP3402,AP30H60K,AP3400,AP3401,AP2316,AP4616,AP15P03Q,AP3407,AP3404,AP2317,AP4822QD,APG050N85D,APC65R600KM,AP2020K,AP80N04Q,AP30H150KA,AP2045K,AP30H150Q,AP30P06,AP2045G,AP2301,AP0903GD,AP2300,AP68N06G,AP6900,AP2305,AP4847,AP4606,AP4846,AP5N10M,AP4P20,APC60R030WMF,AP9N20K,AP80N04G,AP5N10S,AP2045Q,AP2317SD,AP3910GD,APG082N01,APG011N03G,AP4409S,AP4953,AP2317A,AP30P30S,AP3065SD,AP30P30Q
铨力半导体Trench MOS选型表
铨力半导体提供如下参数的Trench MOS:先进的沟槽技术，出色的RDS(on)和低栅极电荷, VGS (V)跨度达±20，多种封装形式SOT23-3/SOT23-6/SOP-8等
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
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-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
一文详解电源管理芯片八个引脚的功能与用途
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