【选型】新节能SJ-IV NF系列功率MOSFET降低器件损耗，可提高电源适配器的系统效率，导通电阻低

时间： 2023-06-02 来源：NCE官网

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电源适配器广泛运用于日常生活的各项电器电源中，如笔记本充电器、电动车充电器等。适配器的核心部分为AC-DC控制器，由于高压的存在，对器件的可靠性与能效比有着较高的要求。而开关控制器件则在其中扮演着核心角色，合理的器件选择能有效降低损耗，提高可靠性，降低EMC。

针对现代适配器的需要，Super-Junction技术的应用同时实现了更大电流和高压能力，并且开关响应迅速，能效更高，发热更低，可用于高达150KHZ的以上的开关应用，使系统表现更优秀。

新洁能的Super-Junction Gen.3系列产品具有更快的开关速度，更低的导通损耗、极低的栅极电荷（Qg），从而降低了器件的功率损耗，提高系统效率。同时，由于采用了自主创新技术，优化了器件的开关特性，器件在系统中具有更好的EMI表现。另外，多样的封装形式能满足您的不同需求。

图 1

推荐产品

新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IV NF系列功率MOSFET产品。基于新洁能SJ-IV技术的基础上，在保证业界先进的超低特征导通电阻的前提下，特别优化了体二极管特性，减小反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（Trr），大幅度提升了产品的反向恢复速度与反向恢复损耗，特别适用于LLC等桥式电路中。相比于新洁能SJ-IV产品，可以为设计人员提供更低的系统总损耗，更高的系统可靠性，以及更大的EMC裕量。N沟道500-650V系列SJ-IV MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等。

特性

●导通电阻低

● 反向恢复特性强

● 系统可靠性更高

●EMC裕量大

应用

●5G电源

●基站电源

●PC电源

●适配器

●LED照明

产品列表

表 1

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NCE（新洁能）MOSFET 选型表

NCE（新洁能）为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C）其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。推出的TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并大大降低成本，可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

选型表 - NCE 立即选型

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描述- 亚成微电子股份有限公司（简称“亚成微”），成立于2006年，是—家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，总部位于西安，在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。基于“高速率功率集成技术平台”已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包络跟踪芯片（ET)、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片以及功率MOSFET在内五大产品线，可被广泛应用于无线通信、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。

型号- RM9003X 系列,RM9003XX,RM9001DE,RM9031A,RM9023D,RM9001DB,RM9023F,RM9001DA,RM9023E,RM9003B,RM9023-XX,RM9003A,RM9010GBV,RM9012GB,RM9010GB,RM9023-05,RM9010X,RM9226,RM9006X,RM9001AH,RM9005AC,RM9001AF,RM9001AE,RM9003EE,RM9023-29,RM9033GA,RM06R20X,RM9033GE,RM9033GF,RM9115,RM9006ABS,RM9031X,RM9023X,RM9003X,RM9015X,RM9003BD,RM9003BB,RM9002DE,RM9015CB,RM9002DC,RM9001D,RM9002DB,RM9005G,RM06R20E,RM9023-20,RM06R20D,RM06R20C,RM9005E,RM06R20B,RM9126A,RM06R20A,RM9126B,RM9012X,RM9001AS,RM901CE,RM923X,RM9016X,RM9016BH,RM9006AC,RM9006AB,RM9010E,RM9023-07,RM9030E,RM9001X 系列,RM9003GA,RM9013,RM9016,RM9030CF,RM9015,RM9023-15,RM9103A,RM9023-13,RM9001X

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型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650BN,RMA65R280SN,RMG65R1K0SN,RMC65R650BN,RMG65R280SN,RMC65R380SN

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型号- RMA65R1K0SN,RMG70R650SN,RME60R190SF,RMK70R280SN,RMK65R380SN,RME70R650SN,RMF60R090SF,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMC60R190SF,RMC70R1K0SN,RMG65R1K0SN,RMC70R380SN,RMC70R650SN,RME65R380SN,RMD65R380SN,RMA70R650SN,RMC65R380SN,RME70R380SN,RMA65R650SN,RME65R280SN,RMC70R280SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMG70R1K0SN,RME70R280SN,RMA70R380SN,RMC65R280SN,RMC65R650SN,RMD65R650SN,RMD65R280SN,RMXXXRXXX,RME65R650SN,RMC65R600BN,RMA65R280SN,RMK65R280SN,RMD120N08S,RMA70R1K0SN,RMF65R041SF,RMK70R380SN,RMA70R280SN,RMG65R650SN,RMD070N10S

2022/8/3 - 亚成微电子 - 选型指南 - V1.3 代理服务技术支持现货查询批量订货

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型号- WMF10N65PC4

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型号- WMO10N65C4,WMP10N65C4,WMN10N65C4,WMM10N65C4,WML10N65C4,WMK10N65C4

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型号- WMK14N65C4,WML14N65C4,WMM14N65C4,WMN14N65C4,WMP14N65C4,WMO14N65C4

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技术分享 | 反激式同步整流效率影响分析

众所周知，同步整流(Synchronous Rectification, SR)是采用通态电阻极低的功率MOSFET替代整流二极管以降低损耗的一项新技术，它能大幅提升电源效率，并可利用其二次侧的优势改善电源指标，符合开关电源小型化、高能效、智能化的发展趋势。在大功率手机快充、适配器中主流解决方案仍然是反激式同步整流拓扑。其挑战在于制定可靠的控制策略及驱动电路，并最大化突出其优势，以提高整机效率。